功率MOSFET栅极驱动
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【应用】国产栅极驱动光耦QX341-CUH-W助力于3KW电机控制器设计，驱动电流可高达3A
驱动光耦QX341-CUH-W则是其中的一种性能优异的栅极驱动光电耦合器，非常适用于驱动电机控制领域的功率IGBT和MOSFET。本文介绍群芯微推出的驱动光耦QX341-CUH-W用于电机控制器。
【经验】基于栅极驱动器BM6104FV-C与IXDD609的SiC MOSFET驱动电路设计
SiC MOSFET对驱动要求高，主要体现在驱动电压和驱动速度。SiC MOSFET标称驱动电压范围一般为-6~22V，其开启电压一般很低，并随温度上升而降低，但只有达到18-20V时，才能完全开通。硅器件的驱动电压最高一般为15V，所以驱动不能直接用于驱动SiC MOSFET。笔者针对应用要求，在实际设计中选用ROHM BM6104FV-C栅极驱动器并在后级添加力特的IXDD609进行功率放大。
广告 发布时间 : 2025-04-07
SGM48536BQ用于MOSFET和IGBT功率开关的单路高速低侧栅极驱动器
SGM48536BQ是一款用于MOSFET和IGBT功率开关的单路高速低侧栅极驱动器。该器件可提供轨到轨驱动能力，且具有非常小的传播延迟（18.5ns，典型值）。SGM48536BQ采用独立输出架构。这种非对称驱动的独立输出结构能够提高器件对寄生米勒传导效应的免疫力，并降低地弹。
【产品】集成防穿通死区时间为200ns的半桥栅极驱动芯片，专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT而设计
上海贝岭BL8203是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片，专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计，可在高达250V电压下工作。BL8203内置VCC和VBS欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。
【产品】类比半导体新推汽车级55V耐压H桥智能栅极驱动器DR70xQ系列，栅极驱动电流最大440mA
类比半导体（AnalogySemi）新推出汽车级H桥智能栅极驱动器DR70xQ系列，配合外部四个MOSFET可灵活配置成H桥、半桥和高低边，驱动双向直流有刷电机、螺线管、电磁阀等负载，功率可从数W扩展到数百W。
【IC】Littelfuse用于SiC MOSFET和高功率IGBT的创新低侧栅极驱动器IX4352NE
Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。IX4352NE通过一种新型9A拉/灌电流驱动器扩展了我们广泛的低侧栅极驱动器系列，简化了SiC MOSFET所需的栅极驱动电路。
三相半桥栅极驱动芯片 CH283手册
CH283是一款工业级三相半桥栅极驱动芯片，用于48V以下三相无刷直流电机驱动，集成了三个独立半桥，支持6只N沟道MOSFET功率管的栅极驱动，内置电压调节器、PWM信号输入电路、死区时间控制、欠压保护电路等。
沁恒 - 三相半桥栅极驱动芯片,CH283,CH283C,CH283T,CH283U,三相无刷直流电机
全球领先 | 芯进电子双重保护隔离栅极驱动器通过UL1577认证
芯进电子多系列隔离驱动产品顺利通过UL1577:2023各项测试，产品型号为CCi8335SVB-LMN, CCi8335SVB-LMN-Q1, CCi8338SVB-LMN, CCi8338SVB-LMN-Q1，是芯进电子推出的适用于电机驱动、太阳能逆变器、UPS、隔离 IGBT、功率 MOSFET 栅极驱动等多场景的超高性能隔离驱动器。
【IC】希荻微推出适用于高性能功率变换应用的新型100V三相半桥栅极驱动器HL9611
希荻微新推HL9611高端100V三相半桥栅极驱动器，旨在驱动半桥高边和低边N沟道功率MOSFET。先进栅极驱动架构支持高达1A峰值电流 (拉电流) 和1.8A峰值电流 (灌电流)，确保在不同操作条件下能实现最佳性能。
【产品】芯天下40V三相全桥MOSFET栅极驱动器XTM2612，内置5V输出LDO，带载能力达80mA
芯天下推出40V三相全桥MOSFET栅极驱动产品XTM2612，针对3PMOS+3NMOS类型，适用于100W以内小功率直流无刷马达及永磁同步电机等控制系统，在落地扇、空气净化器、扫地机器人吸尘风机、水泵等产品的使用上较为常见。
NSG44273 2A 单通道低侧同相栅极驱动芯片
NSG44273是一款低侧同相栅极驱动芯片，适用于低电压功率MOSFET和IGBT的驱动。该芯片采用闩锁免疫CMOS技术，具有高鲁棒性，输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，工作电压范围为5V至25V，适用于多种应用场景。
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HGD314×IGBT栅极驱动光耦
本资料为厦门华联电子股份有限公司生产的HGD314型栅极驱动光耦合器的产品规格书。该产品适用于驱动功率IGBT和MOSFET，广泛应用于电机控制逆变器等领域。
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测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
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可定制变压器支持60W-600W范围，额定电流最高10A，漏感稳定度最小3%；支持开关变压器、电流感测变压器、栅极驱动变压器、LLC谐振变压器、PoE变压器等产品定制。SPQ为5K。
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