微型逆变器
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碳化硅功率器件在光伏逆变器的应用案例：可显著改善效率和功率密度
碳化硅功率器件的不断发展，为光伏逆变器的性能提升和成本优化带来了新的可能。碳化硅器件应用于大功率集成度要求高的场合，可显著改善微型逆变器效率和功率密度。本文SMC介绍碳化硅功率器件在光伏逆变器的应用案例。
ITT研发出储能电池组间面板堆叠方案及PCB堆叠解决方案，顺应欧洲即插即用并网光伏/储能市场发展
欧洲不断更新即插即用并网光伏/储能政策利好政策：欧洲允许800W以内并网逆变器(微型逆变器)即插即用，其中德国还会免除19%增值税，受益于此，德国微逆、阳台发电站销量、搜索量暴增。但目前德国3000万户家庭微逆渗透率仅为3%，提升空间巨大，与之匹配的阳台储能市场刚刚起步，是热门储能赛道中一片亟待开拓的蓝海。
广告 发布时间 : 2025-04-07
微型逆变器的“时间指挥官”：SD8563 RTC芯片如何以精准计时破局光伏运维痛点
在户用光伏迈入TWh时代的今天，SD8563凭借“精准、可靠、易集成”的特性，成为微型逆变器时间管理的首选。SD8563芯片在微型逆变器的两大创新应用场景：组件级故障时间戳记录，冗余时钟保障系统可靠。未来，随着虚拟电厂、光储一体化加速落地，SD8563将持续引领光伏终端的“时间革命”。
【元件】Sunlord推出户用光伏微型逆变器的PQ34系列高频变压器，电路整体转换效率达96.5%以上
顺络（Sunlord）开发出适用于户用光伏微型逆变器的主变压器——PQ34高频变压器系列，产品已经达到成熟稳定的水平，可以使得电路整体转换效率达到96.5%以上，并且具有产能巨大、质量稳定等优势。
数明半导体（Sillumin）光伏逆变器用芯片产品选型指南
数明半导体 - 微型逆变器,数字隔离器,三通道数字隔离器,低输入电压加强型隔离放大器,低输入电压加强型隔离数模转换器,低边驱动,信号芯片,六通道数字隔离器,单通道隔离驱动,双通道数字隔离器,双通道隔离驱动,四通道数字隔离器,接口芯片,模数转换器,闸门驱动器,隔离型门极驱动器,隔离放大器,隔离驱动,隔离驱动器,非隔离栅极驱动器,非隔离驱动,驱动芯片,高低边门极驱动器,高低边驱动,高性能栅极驱动,高速三通道数字隔离器,高速低边门极驱动,高速六通道数字隔离器,高速双通道数字隔离器,高速四通道数字隔离器, 10A隔离驱动, 1A/4A隔离驱动, 4.5A/5.5A高速低边门门极驱动, 4A隔离驱动, 5A/5A高速低边门门极驱动,CAN收发器,CAN隔离器,IGBT隔离驱动,SIC隔离驱动,单通道30V,双通道20V,双通道30V,双通道死区可编程33V,双通道死区可编程40V,隔离ADC,隔离CAN收发器,ADC,CAN ISOLATOR,DIGITAL ISOLATOR,GATE DRIVER,ISOLATED AMPLIFIER,ISOLATED GATE DRIVER,NON-ISOLATED GATE DRIVER,SILM59XX 系列,SILM5350RABCA-DG,SILM5142SCM-DG,SILM8244BBCG-DG,SILM8243ABCP-DG,SLMI335CG-DG,SILM5150SDC-DG,SILM5350SDBCA-DG,SILM8243GBCP-DG,SILM5350PABCA,储能逆变器,光伏逆变器,并网逆变器,离网逆变器,PV逆变器,PV INVERTER
基于G32R501的800W双路MPPT微型逆变器参考方案，额定功率800W，高效转换、实时调控
极海推出G32R501 800W双路MPPT微型逆变器参考方案，旨在以更高效、更智能的量产级技术方案，助力全球能源转型。该方案通过G32R501实时控制MCU实现光伏微逆变器的数字控制，并可同时接入两路光伏输入，具有独立MPPT功能，额定功率800W，可使用锁相环追踪电网角度，支持并网运行模式。
Chroma 62000H-S系列电源，微型逆变器测试的更优选择！
CHROMA 62000H-S具有响应快速之设计以模拟太阳电池的输出I-V曲线，可让使用者编辑任何遮罩的I-V曲线，以上非常适合验证光伏逆变器（PV Inverter）性能，此可应用于光伏逆变器、微逆变器及太阳能充电器的最大功率追踪（MPPT）效能测试。
解锁光伏逆变器市场潜力：选择森国科的IGBT，驱动未来能源革命
光伏逆变器技术不断升级，智能化、高效化成为主流趋势。组串式逆变器和微型逆变器因其高效性和灵活性，逐渐成为市场主流。众多厂家开始选择使用IGBT等核心元器件，加快行业新技术进步以满足全球市场的需求。
用于光伏微型逆变器和工业/服务器电源的SJ MOSFET新产品发布
新推出的MOSFET产品采用先进的多层外延技术和深沟槽技术，具备较低的导通电阻Rds和栅极电荷Qg，显著降低开关损耗。这些产品支持更高的频率和动态响应，适用于高功率密度和高效率的电力电子转换系统。产品采用TO-和TOLL封装，具有优异的内部电阻和开关特性，适用于高功率应用，并具备强大的抗闩锁能力，优化了Qg和Rds参数，支持更高的频率和动态响应。更多详情请访问官方网站。
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【选型】推荐力特晶闸管S8008DRP用于微型逆变器，电压性能高达800V
客户设计微型逆变器，逆变部分有晶闸管选型需求，具体要求是电压800V，电流8A，满足TO-252封装。根据客户需求，笔者推荐力特晶闸管S8008DRP，该器件电压性能达到800V，持续电流最大值30mA，TO-252AA贴片封装，工作温度满足-40℃~125℃。
CRJF360N70G SJMOS N-MOSFET 700V，0.33Ω，13A数据手册\n
本资料介绍了华润微电子（重庆）有限公司生产的SJMOS N-MOSFET晶体管CRJF360N70G2。该产品采用CRM(CQ) Super_Junction技术，具有低导通电阻和快速开关效率的特点，适用于LED/LCD/PDP电视和显示器照明、太阳能/可再生能源/UPS微型逆变器系统等领域。
华润微电子 - SJMOS N-MOSFET,CRJF360N70G,充电器,可再生逆变器系统,太阳能逆变器系统,液晶电视,电源,监控照明,等离子电视,LED电视,UPS-微型逆变器系统,CHARGER,LCD TV,LED TV,MONITOR LIGHTING,PDP TV,POWER SUPPLY,RENEWABLE INVERTER SYSTEM,SOLAR INVERTER SYSTEM,UPS-MICRO INVERTER SYSTEM
CCSPG1560N表面贴装氮化镓N沟道功率FET 60安，150伏
该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CCSPG1560N氮化镓N沟道场效应晶体管。该产品适用于电动汽车充电站、微型逆变器和高效率快速充电功率块，具有60安培的连续漏极电流和150伏的漏源电压。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - 微型逆变器,N沟道氮化镓场效应晶体管,表面贴装氮化镓N沟道功率场效应晶体管,N-CHANNEL GALLIUM NITRIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR,SURFACE MOUNT GAN N-CHANNEL POWER FET,CCSPG1560N,电动汽车充电站,高效快速充电电源块,EV CHARGING STATIONS,HIGHLY EFFICIENT FAST-CHARGING POWER BLOCKS,MICROINVERTERS
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可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W； 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围：4W-60W。
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可来图定制均温板VC尺寸50*50mm~600*600 mm，厚度1mm~10mm，最薄0.3mm。当量导热系数可达10000W/M·K，散热量可达10KW, 功率密度可达50W/cm²。项目单次采购额需满足1万元以上，或年需求5万元以上。
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