快体二极管

选型替换

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Littelfuse（力特）IXYS功率半导体选型指南

Introduction of Littelfuse Index Symbols and Terms/Nomenclature New Pressfit Pin packages ISOPLUS™ family IGBT Discretes IGBT Modules Power MOSFETs Diodes Thyristors Rectifier Bridges Protection Devices Gate Drivers/Power Relays Diode & Thyristor（IXYS Chippenham） Power Semiconductor Chips/Direct Copper Bonded Ceramic Substrates Application Notes Highlights Outline Drawings

LITTELFUSE - 二极管,不对称和脉冲晶闸管,中压晶闸管,二极管模块,交流控制器,保护装置,冷却器,分布式门极晶闸管,制动整流器总成,功率半导体组件,功率半导体附件,功率因数校正模块,功率继电器,功率金氧半电晶体,升压模块,半快二极管,半桥模块,单二极管模块,单晶闸管模块,双二极管模块,双向可控硅,双晶闸管,双极场效应晶体管,双超快二极管,外围组件,大功率声波频率分布,带制动装置的整流桥,快体二极管,快恢复二极管,快恢复二极管二极管,快速二极管整流桥,快速关断晶闸管,快速恢复二极管,快速恢复外延二极管,散热器,整流二极管,整流二极管模块,整流器,整流桥,整流管,晶闸管,晶闸管模块,标准底座夹具套件,棒夹,水冷二极管,相控晶闸管,离散相控晶闸管,箱形夹具,绝缘栅双极晶体管,肖特基,超快恢复二极管,软恢复二极管,配件,门驱动器,雪崩二极管,高频场效应晶体管,34/62MM外壳中的半桥模块,6件装模块,HIPERFRED&NBSP™ 二极管,HIPERFRED2型™ 二极管,HIPERFRED™ 模块,IGBT模块,MOSFETS器件,MOSFET模块,P沟道MOSFET,Q3级HIPERFET,SIC肖特基二极管,传统MOSFET,全桥和制动/降压/增压模块,压装式IGBT,压装式IGBT门极驱动单元,声波-FRD™ 二极管,导通二极管（BOD）,快速导通二极管（BOD）,沟道MOSFETS,点火IGBTS,相位支路/CBI模块,线性L2™ 功率金氧半电晶体,耗尽模式MOSFET,肖特基GEN2二极管,超结功率MOSFET,1-FORM-A RELAYS,1-FORM-B RELAYS,6-PACK MODULES,AC CONTROLLER,AC REGULATORS,ACCESSORIES,ASYMMETRIC AND PULSE THYRISTORS,ASYMMETRIC THYRISTORS,AVALANCHE DIODES,BAR CLAMPS,BIMOSFETS,BOOST CHOPPER IGBT MODULES,BOOST MODULES,BOX CLAMPS,BRAKE IGBT MODULES,BRAKE/BUCK/BOOST CHOPPER IGBT MODULES,BRAKING RECTIFIER ASSEMBLIES,BREAK-OVER DIODES,BREAK-OVER DIODES (BOD),BUCK IGBT MODULES,CBI 2 IGBT MODULES,CBI 3 IGBT MODULES,COOLERS,DEPLETION-MODE MOSFETS,DIODE MODULES,DIODES,DIRECT COPPER BONDED CERAMIC SUBSTRATES,DISCRETES PHASE CONTROL THYRISTORS,DISTRIBUTED GATE THYRISTORS,DUAL DIODE MODULES,DUAL SPEED DIGITAL OPTICAL ISOLATOR,DUAL THYRISTOR,DUAL THYRISTOR MODULES,DUAL ULTRAFAST DIODES,EXTRA FAST RECOVERY DIODES,FAST BODY DIODE,FAST BREAK-OVER DIODES,FAST BREAK-OVER DIODES (BOD),FAST PHASE CONTROL THYRISTORS,FAST RECOVERY DIODE,FAST RECOVERY DIODES,FAST TURN OFF THYRISTORS,FAST TURN-OFF THYRISTORS,FAULT PROTECTED RELAYS,FRED,FRED DIODES,FULL BRIDGE AND BRAKE / BUCK / BOOST MODULES,FULL BRIDGE IGBT MODULES,FUSES,GATE DRIVERS,GATE TURN OFF THYRISTORS,GTOS,HALF BRIDGE MODULES,HALF BRIDGE MODULES IN 34/62MM HOUSINGS,HALF CONTROLLED RECTIFIER BRIDGES,HEATSINKS,HIGH POWER SONIC FRD,HIGH SPEED DIGITAL OPTICAL ISOLATORS,HIGH VOLTAGE NPT IGBTS,HIGH VOLTAGE RECTIFIER MODULES,HIPERDYN™ FREDS,HIPERDYN™FREDS,HIPERFETS,HIPERFETS (FBD),HIPERFET（FBD）,HIPERFRED2™ DIODES,HIPERFRED™ DIODES,HIPERFRED™ MODULES,IGBT,IGBT GATE DRIVER,IGBT HALF BRIDGE MODULES,IGBT MODULES,IGBTS,IGNITION IGBTS,INSULATED GATE BI-POLAR TRANSISTORS,LEGACY MOSFETS,LEGACY POWER MOSFETS,LINEAR L2™ POWER MOSFETS,LINEAR OPTOCOUPLERS,LOW ON-STATE VOLTAGE NPT IGBTS,LOW-SIDE GATE DRIVERS,MEDIUM VOLTAGE THYRISTORS,MISCELLANEOUS RELAYS,MODULES,MOS-GATED THYRISTORS,MOSFET MODULES,MOSFETS,N-CHANNEL DEPLETION MODE FETS,NPT IGBT,OPTICALLY ISOLATED AC POWER SWITCHES,OPTICALLY ISOLATED I2C BUS REPEATERS,OPTICALLY ISOLATED LOAD-BIASED GATE DRIVERS,OPTICALLY ISOLATED PHOTOVOLTAIC GATE DRIVERS,P-CHANNEL MOSFETS,PERIPHERAL COMPONENTS,PHASE CONTROL THYRISTORS,PHASE LEG / CBI MODULES,PHASE LEG IGBT MODULE,PLANAR IGBTS,POLAR™ MOSFETS,POLAR™MOSFET,POWER FACTOR CORRECTION MODULES,POWER MOSFETS,POWER RELAYS,POWER SEMICONDUCTOR,POWER SEMICONDUCTOR ACCESSORIES,POWER SEMICONDUCTOR ASSEMBLIES,POWER SEMICONDUCTOR CHIPS,PRESS-PACK IGBT,PRESS-PACK IGBT GATE DRIVE UNITS,PROTECTION DEVICES,PT IGBTS,PULSE THYRISTORS,Q3-CLASS HIPERFET,RECTIFIER,RECTIFIER BRIDGES,RECTIFIER BRIDGES WITH BRAKE UNIT,RECTIFIER BRIDGES WITH FAST DIODES,RECTIFIER DIODE,RECTIFIER DIODE MODULES,RECTIFIER DIODES,RECTIFIERS,RESETTABLE PTCS,REVERSE CONDUCTING IGBTS,SCHOTTKY DIODES,SCHOTTKY GEN2 DIODES,SEMIFAST DIODES,SEMIFAST DIODES,SIC DIODES,SIC GATE DRIVER,SIC MOSFET,SIC MOSFETS,SIC SCHOTTKY DIODES,SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODES,SILICONCARBIDE POWER MOSFETS,SINGLE DIODE MODULES,SINGLE PHASE DIODE BRIDGES,SINGLE PHASE FULLY CONTROLLED BRIDGES,SINGLE THYRISTOR MODULES,SINGLE-CHANEL EACH DIRECTION DIGITAL OPTICAL ISOLATOR,SIX PHASE DIODE,SIX PHASE THYRISTOR,SIX-PACK IGBT MODULES,SIX-PACK TRENCH MOSFET,SOFT RECOVERY DIODE,SOFT RECOVERY DIODES,SOLID STATE RELAYS,SONIC-FRD™ DIODES,STANDARD BAR CLAMPS,STANDARD BASE CLAMP KITS,STANDARD MOSFETS,SUPERJUNCTION POWER MOSFET,SUPERJUNCTION POWER MOSFETS,THREE PHASE DIODE BRIDGE,THREE PHASE FULLY CONTROLLED BRIDGES,THYRISTOR,THYRISTOR MODULES,THYRISTORS,TRENCH IGBTS,TRENCH MOSFETS,TRENCH POWER MOSFETS,TRIAC,TRIACS,TRIODE-REVERSE CONDUCTING THYRISTOR,TVS DIODES,ULTRA JUNCTION POWER MOSFETS,VERY HIGH VOLTAGE NPT IGBTS,VERY HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS,WATER COOLED DIODE,WATER COOLED DIODE MODULES,WATER COOLED DUAL DIODE MODULES,WATER COOLED DUAL THYRISTOR MODULES,WATER COOLED THYRISTOR MODULES,R1280NC25M,MCD 26-16IO1B,N2055HE420,IXTT 30N50L2,R1280NC25K,R1280NC25L,MCD 56-18IO8B,IXBOD 2-52R,R1280NC25J,IXTQ 52N30P,MCK 200-18IO1,IXYR 100N120C3,L,公用事业规模转换器,可再生发电,大中型驱动器,CONSUMER ELECTRONICS,DATA ACQUISITION,DATA COMMUNICATIONS,ELECTRONIC SWITCHING,INDUSTRIAL CONTROLS,INDUSTRIAL FACILITIES,INSTRUMENTATION,LARGE AND MEDIUM DRIVES,MEDICAL EQUIPMENT,MULTIPLEXERS,RENEWABLE GENERATION,SECURITY,TELECOMMUNICATIONS,UTILITIES SCALE CONVERTERS,VEHICLES

2021/06/01 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

【选型】LLC谐振电路中推荐超结MOSFET TPP60R160MFD，Trr仅112ns

LLC拓扑高效和高功率密度受到广大工程师的青睐，但是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却高于以往硬开关拓扑，MSOFET体二极管的反向恢复时间（TRR）尤为重要。本文推荐无锡紫光微电子的超结MOSFET，TPP60R160MFD为例，这是20A、600V的SJMOS，开关速度快，最大导通电阻190mR，TRR典型值仅为112ns。

2020-06-21 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

【产品】采用SOT-363封装的硅半导体二极管BAV99DW，具有开关速度快及无卤特性

蓝箭电子推出的BAV99DW硅半导体二极管，采用SOT-363塑封封装，具有开关速度快及无卤特性，是一款适用于要求高导电率场合的高电导超快速二极管。

2022-04-29 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】SOD-80C封装的肖特基二极管LL103X系列，其反向恢复时间小于10ns

Diotec（德欧泰克）是半导体二极管和整流器元器件领域著名的制造商和行业领先者。近期Diotec推出LL103X系列（LL103A、LL103B、LL103C）肖特基二极管，其具有正向压降低、开关速度快和结电容低等特点，是信号处理、高速开关和极性保护等领域的不二选择。

2019-06-21 - 新产品代理服务技术支持采购服务

850V超结X级HiPerFETTM功率mosfet与快体二极管

该资料介绍了IXYS公司推出的850V Ultra Junction X-Class HiPerFET™功率MOSFET，具有快速体二极管。产品特点包括：极低的导通电阻RDS(on)、低栅极电荷Qg、优化的快速软恢复体二极管、优异的dv/dt鲁棒性、高效率、高功率密度、易于安装、低封装电感，并提供多种国际标准封装。这些MOSFET适用于工业开关模式电源、电动汽车充电器、电机驱动、DC-DC转换器、可再生能源逆变器、功率因数校正电路、机器人伺服控制系统等领域。与市场上现有的800V和900V MOSFET相比，IXYS的850V Ultra Junction MOSFET具有更好的性能。

IXYS - 超结X级HIPERFET™功率MOSFET,ULTRA JUNCTION X-CLASS HIPERFET™ POWER MOSFETS,IXFN90N85X,IXFA20N85XHV,IXFK50N85X,IXFT40N85XHV,IXFP20N85X,IXFT50N85XHV,IXFH40N85X,IXFN66N85X,IXFH20N85X,IXFN110N85X,IXFH50N85X,IXFK66N85X,IXFB90N85X

September 2016 - 快速参考指南代理服务技术支持采购服务

AI总结

一个新项目30KW的UPS产品，PFC部分使用的是三相维也纳拓扑，每一相背靠背的功率开关管使用的是COOL MOS，IPZ65R019C7为了提高效率，但成本评估比相近参数的国产SIC MOS还贵，请帮忙推荐参数相近性能相当的国产SICMOS?

推荐国产瞻芯电子SICmos IV1Q06040T4,TO-247-4封装，P2P兼容IPZ65R019C7，相比对于同样Rds_on和电压等级的Simos，SiCmos的总开关时间短得多，SiC mos的体二极管反向恢复速度比 Si二极管快更快，在高频特性下同Simos相比，导通电阻更低，损耗更，温升特性更好。可提升PFC部分的效率0.3%-1%，提升功率密度，降低系统成本。详细参考：/doc/2308921.html

2021-07-22 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

【产品】60V/±14A的N沟道功率MOSFET RS3L140GN，导通电阻最大值仅为6.5mΩ

RS3L140GN是罗姆推出的低导通电阻的N沟道功率MOSFET，为小型表面贴装封装（SOP8），采用无铅电镀，符合RoHS标准，主要用于开关类应用。且其导通延迟时间的典型值仅为14ns，上升时间的典型值为18ns，关断延迟时间典型值为67ns，下降时间典型值为25ns，体二极管的反向恢复时间的典型值为39ns，产品响应速度快。

2019-12-03 - 新产品代理服务技术支持采购服务

SOD-523系列开关二极管

SOD-523系列开关二极管是半导体二极管的一种，具有单向导电特性。在正偏压下，PN结导通，电阻很小，约为几十至几百欧；在反向偏压下，则呈截止状态，电阻很大。这种特性使得二极管在电路中起到控制电流接通或关断的作用，成为一个理想的电子开关。SOD-523系列开关二极管适用于各种电子电路中的开关控制功能，具有体积小、速度快、可靠性高等特点。

硕凯电子 - 二极管,SOD-523系列,电子电路中的开关控制

代理服务技术支持采购服务

电力半导体2020-2021产品目录

LITTELFUSE - 二极管,中压晶闸管,二极管模块,交流控制器,保护装置,冷却器,分布式门极晶闸管,制动整流器,功率半导体组件,功率因数校正模块,功率继电器,功率金氧半电晶体,半快二极管,单二极管模块,单晶闸管模块,双二极管模块,双向可控硅,双头螺栓,双晶闸管,双超快二极管,快体二极管,快恢复二极管二极管,快断二极管,快速关断晶闸管,快速恢复二极管,散热器,整流二极管模块,整流器,整流桥,断开二极管,晶闸管,晶闸管模块,标准底座夹具套件,棒夹,水冷二极管,电源半导体,相控晶闸管,离散相控晶闸管,箱形夹具,绝缘栅双极晶体管,肖特基,肖特基二极管,胶囊装置,脉冲晶闸管,董事会,螺柱装置,超快恢复二极管,软恢复二极管,门驱动器,雪崩二极管,高压整流管,高频场效应晶体管,DCB陶瓷基板,IGBT模块,IGBT离散,MOSFETS器件,MOSFET模块,P沟道MOSFET,SIC肖特基二极管,WESTACK-模块化,WESTACKLITE-模块化,传统MOSFET 64,压装IGBT膜盒器件,压装式IGBT门极驱动单元,沟道MOSFETS,点火IGBTS,线性L2™ 功率金氧半电晶体,耗尽模式MOSFET,艾克西斯·贝弗利,超结功率MOSFET,高功率声波FRD的,AC CONTROLLER,AVALANCHE DIODES,BAR CLAMPS,BOD,BOX CLAMPS,BRAKING RECTIFIER,BREAK-OVER DIODES,CAPSULE DEVICES,COOLERS,DCB CERAMIC SUB-STRATES,DEPLETION-MODE MOSFETS,DIODE MODULES,DIODES,DISCRETES PHASE CONTROL THYRISTORS,DISTRIBUTED GATE THYRISTORS,DUAL DIODE MODULES,DUAL THYRISTOR,DUAL ULTRAFAST DIODES,EXTRA FAST RECOVERY DIODES,FAST BODY DIODE,FAST BREAK-OVER DIODES,FAST RECOVERY DIODES,FAST TURN-OFF THYRISTORS,FRED DIODES,FREDS DIODES,GATE DRIVERS,GTOS,HEATSINKS,HIGH POWER SONIC FRD'S,HIGH VOLTAGE RECTIFIERS,HIPERFETS,IGBT DISCRETES,IGBT MODULES,IGNITION IGBTS,INSULATED GATE BI-POLAR TRANSISTORS,IXYS BEVERLY,LEGACY MOSFETS64,LINEAR L2™ POWER MOSFETS,MEDIUM VOLTAGE THYRISTORS,MOSFET MODULES,MOSFETS,P-CHANNEL MOSFETS,PHASE CONTROL THYRISTORS,POWER FACTOR CORRECTION MODULES,POWER MOSFETS,POWER RELAYS,POWER SEMICONDUCTOR,POWER SEMICONDUCTOR ASSEMBLIES,PRESS-PACK IGBT CAPSULE DEVICES,PRESS-PACK IGBT GATE DRIVE UNITS,PROTECTION DEVICES,PULSE THYRISTORS,RECTIFIER,RECTIFIER BRIDGES,RECTIFIER DIODE MODULE,RECTIFIER DIODES,SCHOTTKY DIODES,SCHOTTKY GEN DIODES,SEMIFAST DIODES,SIC MOSFET,SIC MOSFETS,SIC SCHOTTKY DIODESSIC SCHOTTKY DIODES,SINGLE DIODE MODULES,SINGLE THYRISTOR MODULES,SOFT RECOVERY DIODES,STANDARD BASE CLAMP KITS,STUD DEVICES,STUDS,SUPERJUNCTION POWER MOSFETS,THYRISTOR,THYRISTOR MODULES,THYRISTORS,TRENCH MOSFETS,TRIAC,ULTRA JUNCTION POWER MOSFETS,WATER COOLED DIODE,WESTACK - MODULAR,WESTACKLITE - MODULAR,R1280NC25M,MCD 26-16IO1B,N2055HE420,IXTT 30N50L2,R1280NC25K,R1280NC25L,MCD 56-18IO8B,IXBOD 2-52R,R1280NC25J,IXTQ 52N30P,MCK 200-18IO1,IXYR 100N120C3,L,工业设施,消费电子,车辆,CONSUMER ELECTRONICS,INDUSTRIAL FACILITIES,VEHICLES

2020/10/6 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

【产品】TO-220F封装的650V的超结功率MOSFET TPA65R190MFD，导通电阻最大仅0.19Ω

TPA65R190MFD是无锡紫光微电子推出的漏源电压达650V的超结功率MOSFET，采用TO-220F封装，具有极低的品质因数，通过了100％雪崩测试，符合RoHS标准，同时，该产品具有超快速恢复的体二极管，响应速度快，适用于开关电源、不间断电源和功率因数校正。

2019-10-19 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】采用SOD-323塑封封装的硅半导体二极管1N4148WS，开关速度快，适用于小信号处理

蓝箭电子推出的采用SOD-323塑封封装的硅半导体二极管1N4148WS，具有开关速度快，无卤产品的特征，适用于小信号处理。

2022-04-02 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】结电容低至2pF的肖特基势垒二极管SD101X系列，反向恢复时间仅为1ns

Diotec致力于半导体二极管和整流器的研发生产，具备成套的专项技术，拥有从晶圆和芯片的生产到组装测试和封装一整条产线。Diotec推出的SD101X系列（SD101AW、SD101BW、SD101CW）肖特基势垒二极管，具有开关速度快、低结电容、低漏电流的特点。主要适用于信号处理、高速开关等领域。