A0-VS122PA600M7-L759F70
相关结果约62条【技术】如何准确计算IGBT的驱动参数?
IGBT可靠的开通和关断是变频器稳定运行的核心。为了实现IGBT的通断,需要对IGBT的门极进行充电以达到门极开通电压Vge_on,以及对门极进行放电至门极关断电压Vge_off。因此,正确计算IGBT的驱动参数是保证其可靠通断的首要任务。
【方案】100KW电动汽车电机驱动优选元器件方案
本方案采用Vincotech的E3系列IGBT模块、Power Integrations的隔离驱动、Melexis的电流传感器和Littelfuse的SIC MOSFET等器件组成的电机驱动电路,同时配备蓄电池备用辅助电源,实现大功率电机驱动安全高效、节能环保的目的。
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广告 发布时间 : 2025-03-03
新能源汽车电机控制器中IGBT,芯片,电容未来的技术发展趋势?
新能源汽车电机控制器,未来会朝着高功率密度、低损耗、高效率的方向发展。对于具体的器件应用: 1)IGBT使用最新一代晶圆,采用先进的的封装工艺,实现更低的开关和导通损耗。代表产品为Vincotech的E3系列模块; 2)电驱控制器高度集成,功率密度高。需要使用耐高温、纹波承受能力强的薄膜电容,代表产品为WIMA DC-LINK MKP 4系列; 3)IGBT驱动芯片需要集成饱和压降检测、软关断功能,且需要较强的驱动能力。代表产品为PI的Idriver系列。 相关资料可以在世强官网或者APP搜索。
【经验】如何正确测试IGBT门极驱动波形?
本文以vincotech E3半桥IGBT模块(A0-VS122PA600M7-L759F70)和PI隔离驱动(SID1182K)为例,介绍在实际的IGBT驱动电路中如何正确测试门极驱动波形。
【选型】飞仕得(Firstack)通用品选型指南
Firstack通用品 2FSD0115+X产品型号 2FSD0115+B12-30456080适配的IGBT型号 2FSD0320T+X产品型号 PM0538-N-X产品型号 驱动核产品型号
飞仕得 - A0-VS122PA600M7-L759F70,驱动核产品,2FSD0115+B17-FF600R17ME4-C,FF600R12ME4C,A0-VS122PA450M7-L759F70,FF600R12ME4,2FSC300C17+,PM0538-N-B-FF1000R17IE4,2FSD0115+B12-F
A0-VS122PA690M7-L750F70/A0-VS122PA600M7-L759F70器件使用过程中,反压过高,请问有什么建议可以降低反压?
建议通过增加驱动电阻或者增加Vce模块两头的吸收电容对反压参数进行优化。
VINCOTECH-IGBT功率模块选型表
VINCOTECH提供以下技术参数的IGBT功率模块产品选型,VOLTAGEIN:600-1800V,CURRENTIN:4-1800A
产品型号
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品类
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SUB-TOPOLOGY
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PRODUCT LINE
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VOLTAGEIN(V)
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CURRENTIN(A)
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MAIN CHIP TECHNOLOGY
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HOUSING FAMILY
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HEIGHTIN(mm)
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ISOLATION
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A0-VS122PA600M7-L759F70
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IGBT功率模块
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Half Bridge-NTC
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VINcoDUAL E3
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1200
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600
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IGBT M7
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VINco E3s
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17
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IMB
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选型表 - VINCOTECH 立即选型
【选型】Vincotech(威科) 功率模块(IGBT模块)选型指南
Introduction of Vincotech Product Overview RECTIFIER SIXPACK SIXPACK+RECTIFIER SEVENPACK PIM (CIB) PIM+PFC (CIP) IPM HALF-BRIDG H-BRIDG SINGLE-PHASE-INVERTER H6.5 BOOSTER BUCK-BOOSTER PFC Three-Level NPC (I-Type) Three-Level MNPC (T-Type) Three-Level ANPC Schematics/Housings Naming System
VINCOTECH - 功率集成模块,升压器,单相逆变器,外壳,整流器,超快整流器,降压升压器,SIC场效应晶体管,BOOSTER,BOOSTER,BUCK-BOOSTER,HOUSING,HOUSING,IGBT,IPM,NPC,PIM,RECTIFIER,SIC MOSFET,SINGLE-PHASE INVERTER,SINGLE-PHASE INVERTER,SYMMETRIC BOOSTER,SYMMETRIC BOOSTER,SYMMETRIC BUCK-BOOSTER,SYMMETRIC BUCK-BOOSTER,ULTRAFAST RECTIFIER,80-M2122PA200M7-K709F70,10-FZ06NIA030SA-P924F33,10-EY126PA100M7-L198F78T,80-M2122PA150M7-K708F70,V23990-P829-F10-PM,V23990-P600-I19-PM,V23990-K201-A-P,不间断电源,充电站,太阳能逆变器,嵌入式驱动器,工业驱动器,焊接,CHARGING STATIONS,CUTTING,EMBEDDED DRIVES,INDUSTRIAL DRIVES,SOLAR INVERTERS,UNINTERRUPTABLE POWER SUPPLIES,UPS,WELDIN,WELDING
【经验】以A0-VS122PA600M7-L759F70为例分析IGBT模块测试振荡的原因及应对措施
IGBT模块在特定的工作点开关时,可能会在栅极电压、集-射极电压或集电极电流中产生高频振荡。会造成多种危害。从发生振荡的来源可分为三种模式的振荡,本文以Vincotech模块A0-VS122PA600M7-L759F70(1200V/600A)Half-Bridge拓扑为例,做一些分析我们常见的振荡分析。
【应用】VincotechIGBT半桥模块A0-VS122PA600M7-L759F70用于变频器,饱和压降1.51V
变频器是工业控制的常用设备,在变频器的逆变电路部分,可采用三个半桥组成三相全桥拓扑。本文主要介绍Vincotech的IGBT半桥模块A0-VS122PA600M7-L759F70应用在160kW变频器的优势。
【经验】教你掌握IGBT双脉冲测试的方法和意义
在使用一款IGBT时,我们通常会参考datasheet中给定的参数,但实际应用中外部参数是变化的,要实际观测上述参数,最直观的方法就是双脉冲测试法。本文采用Vincotech E3半桥IGBT模块(A0-VS122PA600M7-L759F70)和PI隔离驱动芯片(SID1182K)设计一款双脉冲测试设备。教你掌握IGBT双脉冲测试的方法和意义
【经验】教你验证SID1182K隔离驱动芯片能否驱动600A/1200V IGBT模块
IGBT驱动电路设计的优劣、驱动参数设置是否合理,关系到IGBT能否长期稳定的工作。本文我们就以Vincotech的IGBT模块(A0-VS122PA600M7-L759F70)和PI隔离驱动芯片(SID1182K)为例,验证SID1182K能否驱动600A/1200V IGBT模块。
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