DSEP 2x61-03A
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PCN#ESW490-47–晶闸管和二极管SOT-227封装位置转移
Littelfuse公司宣布将SOT-227封装的晶闸管和二极管产品的后端组装工艺从现有工厂转移到菲律宾Lipa的新内部组装工厂。此次转移旨在提升服务水平和质量标准。主要变化包括部分产品编号从有焊盘类型更改为无焊盘类型，以及标记和标签的更新。此次转移不影响产品形式、尺寸和功能，且产品编号不变。转移将于2023年3月7日生效。
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DSEP2X61-03A高性能快恢复二极管
该资料介绍了IXYS公司生产的DSEP2x61-03A型号高压快速恢复二极管。该二极管具有低漏电流、短恢复时间、软恢复特性等特点，适用于高频开关设备、隔离电压应用等领域。
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PCN1098：Littelfuse分立式SOT-227B封装的产品变更通知——在葡萄牙的激光打标介绍组装地点
Littelfuse公司发布产品变更通知，宣布从2021年12月1日起，其在葡萄牙制造地点生产的SOT-227B封装产品将从喷墨标记更改为激光标记。此次变更不影响产品的尺寸、形状或功能。受影响的零件编号列表已提供。
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DSEP2x61-03A HiPerFRED高性能快恢复二极管低损耗和软恢复并联管脚
该资料介绍了IXYS公司生产的DSEP2x61-03A型号高压快速恢复二极管。该二极管具有低漏电流、短恢复时间、良好的热行为和软恢复特性，适用于高频开关设备、整流器和其他电力电子应用。
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艾赛斯DSEP2X61-03A快恢复模块
艾赛斯DSEP2X61-03A快恢复模块是由银耀芯城半导体（江苏）有限公司提供的半导体产品。该模块具有快恢复特性，适用于多种电子设备中，如开关电源、工控设备、变频器、电焊机、电梯、空调、风力发电、不间断电源、电动力机车和汽车等。产品系列齐全，型号包括DSEI2X31-06C、DSEI2X31-10B、DSEI2X31-12B、DSEI2X60-04C、DSEI2X61-06C、DSEI2X61-10B、DSEI2X61-12B、DSEI2X121-02A、DSEI2X101-06A、DSEI2X101-12A、DSEP2X31-03A、DSEP2X61-03A、DSEP2X91-03A、DSEP2X31-06A、DSEP2X31-06B、DSEP2X61-06A、DSEP2X91-06A、DSEP2X31-12A、DSEP2X60-12A、DSEP2X61-12A、DSEP2X61-12B
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IXYS高性能快速恢复二极管DSEP2X61-03A
IXYS的DSEP2X61-03A是一款高性能快速恢复二极管（HiPerFRED），其平均正向电流为2x60安培，重复峰值反向阻断电压为300伏。该二极管具有平面钝化芯片、极低的漏电流、极短的恢复时间、改进的热性能、非常低的Irm值、柔软的恢复行为、可靠操作的雪崩电压额定值以及低EMI/RFI的软反向恢复特性。它适用于各种工业应用，包括电力电子设备中的整流和开关功能。产品封装类型为SOT-227B（minibloc），尺寸为38x25x12毫米。此外，AS ENERGI TM 提供替代型号AMDSEP2X61-03A，具备相同的电气参数和技术规格。主要参数包括最大允许平均正向电流2x60安培、最大重复峰值反向电压300伏、浪涌峰值正向电流600安培、阈值电压0.79伏、斜率电阻5.3毫欧、反向恢复时间40纳秒、最大反向恢复电流12安培、PN结温度最高150摄氏度、热阻（结到外壳）0.85
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艾赛斯DSEI2X31-06C齐纳晶闸管
艾赛斯DSEI2X31-06C是一款齐纳晶闸管，适用于开关电源、工控设备、变频器、电焊机、电梯、空调、风力发电、不间断电源、电动力机车、汽车等领域。该产品具有标准封装，广泛应用于各种电力电子设备中，确保系统的稳定性和可靠性。
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IXYS高性能快速恢复二极管（HiPerFRED）
IXYS高性能快速恢复二极管（HiPerFRED）是通用型二极管，具有高达1200V的阻断电压和高达120A的电流额定值。这些二极管的主要特点是平面钝化芯片、非常低的泄漏电流、极短的恢复时间、改进的热行为、非常低的Irm值、柔和的恢复行为、可靠操作的雪崩电压评级以及低EMI/RFI的软反向恢复。它们主要用于变频器的大功率交流驱动、牵引转换器、轨道旁变电站、焊接和直流电源供应的应用中，适用于最高500Hz的线路频率。该二极管采用行业标准陶瓷封装，易于集成到现有设备中，并具有压力接触端子。其主要应用领域包括大功率AC-DC转换电路，特别是在需要高效能和快速响应的场合。产品系列涵盖了多种型号，如DSEP2X31-03A、DSEP2X61-03A等，每个型号都有详细的规格参数和技术文档可供下载。
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Littelfuse（力特）IXYS功率半导体选型指南
Introduction of Littelfuse Index Symbols and Terms/Nomenclature New Pressfit Pin packages ISOPLUS™ family IGBT Discretes IGBT Modules Power MOSFETs Diodes Thyristors Rectifier Bridges Protection Devices Gate Drivers/Power Relays Diode & Thyristor（IXYS Chippenham） Power Semiconductor Chips/Direct Copper Bonded Ceramic Substrates Application Notes Highlights Outline Drawings
LITTELFUSE - 不对称和脉冲晶闸管,中压晶闸管,二极管,二极管模块,交流控制器,保护装置,冷却器,分布式门极晶闸管,制动整流器总成,功率半导体组件,功率半导体附件,功率因数校正模块,功率继电器,功率金氧半电晶体,升压模块,半快二极管,半桥模块,单二极管模块,单晶闸管模块,双二极管模块,双向可控硅,双晶闸管,双极场效应晶体管,双超快二极管,外围组件,大功率声波频率分布,带制动装置的整流桥,快体二极管,快恢复二极管,快恢复二极管二极管,快速二极管整流桥,快速关断晶闸管,快速恢复二极管,快速恢复外延二极管,散热器,整流二极管,整流二极管模块,整流器,整流桥,整流管,晶闸管,晶闸管模块,标准底座夹具套件,棒夹,水冷二极管,相控晶闸管,离散相控晶闸管,箱形夹具,绝缘栅双极晶体管,肖特基,超快恢复二极管,软恢复二极管,配件,门驱动器,雪崩二极管,高频场效应晶体管,34/62MM外壳中的半桥模块,6件装模块,HIPERFRED&NBSP™ 二极管,HIPERFRED2型™ 二极管,HIPERFRED™ 模块,IGBT模块,MOSFETS器件,MOSFET模块,P沟道MOSFET,Q3级HIPERFET,SIC肖特基二极管,传统MOSFET,全桥和制动/降压/增压模块,压装式IGBT,压装式IGBT门极驱动单元,声波-FRD™ 二极管,导通二极管（BOD）,快速导通二极管（BOD）,沟道MOSFETS,点火IGBTS,相位支路/CBI模块,线性L2™ 功率金氧半电晶体,耗尽模式MOSFET,肖特基GEN2二极管,超结功率MOSFET,1-FORM-A RELAYS,1-FORM-B RELAYS,6-PACK MODULES,AC CONTROLLER,AC REGULATORS,ACCESSORIES,ASYMMETRIC AND PULSE THYRISTORS,ASYMMETRIC THYRISTORS,AVALANCHE DIODES,BAR CLAMPS,BIMOSFETS,BOOST CHOPPER IGBT MODULES,BOOST MODULES,BOX CLAMPS,BRAKE IGBT MODULES,BRAKE/BUCK/BOOST CHOPPER IGBT MODULES,BRAKING RECTIFIER ASSEMBLIES,BREAK-OVER DIODES,BREAK-OVER DIODES (BOD),BUCK IGBT MODULES,CBI 2 IGBT MODULES,CBI 3 IGBT MODULES,COOLERS,DEPLETION-MODE MOSFETS,DIODE MODULES,DIODES,DIRECT COPPER BONDED CERAMIC SUBSTRATES,DISCRETES PHASE CONTROL THYRISTORS,DISTRIBUTED GATE THYRISTORS,DUAL DIODE MODULES,DUAL SPEED DIGITAL OPTICAL ISOLATOR,DUAL THYRISTOR,DUAL THYRISTOR MODULES,DUAL ULTRAFAST DIODES,EXTRA FAST RECOVERY DIODES,FAST BODY DIODE,FAST BREAK-OVER DIODES,FAST BREAK-OVER DIODES (BOD),FAST PHASE CONTROL THYRISTORS,FAST RECOVERY DIODE,FAST RECOVERY DIODES,FAST TURN OFF THYRISTORS,FAST TURN-OFF THYRISTORS,FAULT PROTECTED RELAYS,FRED,FRED DIODES,FULL BRIDGE AND BRAKE / BUCK / BOOST MODULES,FULL BRIDGE IGBT MODULES,FUSES,GATE DRIVERS,GATE TURN OFF THYRISTORS,GTOS,HALF BRIDGE MODULES,HALF BRIDGE MODULES IN 34/62MM HOUSINGS,HALF CONTROLLED RECTIFIER BRIDGES,HEATSINKS,HIGH POWER SONIC FRD,HIGH SPEED DIGITAL OPTICAL ISOLATORS,HIGH VOLTAGE NPT IGBTS,HIGH VOLTAGE RECTIFIER MODULES,HIPERDYN™ FREDS,HIPERDYN™FREDS,HIPERFETS,HIPERFETS (FBD),HIPERFET（FBD）,HIPERFRED2™ DIODES,HIPERFRED™ DIODES,HIPERFRED™ MODULES,IGBT,IGBT GATE DRIVER,IGBT HALF BRIDGE MODULES,IGBT MODULES,IGBTS,IGNITION IGBTS,INSULATED GATE BI-POLAR TRANSISTORS,LEGACY MOSFETS,LEGACY POWER MOSFETS,LINEAR L2™ POWER MOSFETS,LINEAR OPTOCOUPLERS,LOW ON-STATE VOLTAGE NPT IGBTS,LOW-SIDE GATE DRIVERS,MEDIUM VOLTAGE THYRISTORS,MISCELLANEOUS RELAYS,MODULES,MOS-GATED THYRISTORS,MOSFET MODULES,MOSFETS,N-CHANNEL DEPLETION MODE FETS,NPT IGBT,OPTICALLY ISOLATED AC POWER SWITCHES,OPTICALLY ISOLATED I2C BUS REPEATERS,OPTICALLY ISOLATED LOAD-BIASED GATE DRIVERS,OPTICALLY ISOLATED PHOTOVOLTAIC GATE DRIVERS,P-CHANNEL MOSFETS,PERIPHERAL COMPONENTS,PHASE CONTROL THYRISTORS,PHASE LEG / CBI MODULES,PHASE LEG IGBT MODULE,PLANAR IGBTS,POLAR™ MOSFETS,POLAR™MOSFET,POWER FACTOR CORRECTION MODULES,POWER MOSFETS,POWER RELAYS,POWER SEMICONDUCTOR,POWER SEMICONDUCTOR ACCESSORIES,POWER SEMICONDUCTOR ASSEMBLIES,POWER SEMICONDUCTOR CHIPS,PRESS-PACK IGBT,PRESS-PACK IGBT GATE DRIVE UNITS,PROTECTION DEVICES,PT IGBTS,PULSE THYRISTORS,Q3-CLASS HIPERFET,RECTIFIER,RECTIFIER BRIDGES,RECTIFIER BRIDGES WITH BRAKE UNIT,RECTIFIER BRIDGES WITH FAST DIODES,RECTIFIER DIODE,RECTIFIER DIODE MODULES,RECTIFIER DIODES,RECTIFIERS,RESETTABLE PTCS,REVERSE CONDUCTING IGBTS,SCHOTTKY DIODES,SCHOTTKY GEN2 DIODES,SEMIFAST DIODES,SEMIFAST DIODES,SIC DIODES,SIC GATE DRIVER,SIC MOSFET,SIC MOSFETS,SIC SCHOTTKY DIODES,SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODES,SILICONCARBIDE POWER MOSFETS,SINGLE DIODE MODULES,SINGLE PHASE DIODE BRIDGES,SINGLE PHASE FULLY CONTROLLED BRIDGES,SINGLE THYRISTOR MODULES,SINGLE-CHANEL EACH DIRECTION DIGITAL OPTICAL ISOLATOR,SIX PHASE DIODE,SIX PHASE THYRISTOR,SIX-PACK IGBT MODULES,SIX-PACK TRENCH MOSFET,SOFT RECOVERY DIODE,SOFT RECOVERY DIODES,SOLID STATE RELAYS,SONIC-FRD™ DIODES,STANDARD BAR CLAMPS,STANDARD BASE CLAMP KITS,STANDARD MOSFETS,SUPERJUNCTION POWER MOSFET,SUPERJUNCTION POWER MOSFETS,THREE PHASE DIODE BRIDGE,THREE PHASE FULLY CONTROLLED BRIDGES,THYRISTOR,THYRISTOR MODULES,THYRISTORS,TRENCH IGBTS,TRENCH MOSFETS,TRENCH POWER MOSFETS,TRIAC,TRIACS,TRIODE-REVERSE CONDUCTING THYRISTOR,TVS DIODES,ULTRA JUNCTION POWER MOSFETS,VERY HIGH VOLTAGE NPT IGBTS,VERY HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS,WATER COOLED DIODE,WATER COOLED DIODE MODULES,WATER COOLED DUAL DIODE MODULES,WATER COOLED DUAL THYRISTOR MODULES,WATER COOLED THYRISTOR MODULES,R1280NC25M,MCD 26-16IO1B,N2055HE420,IXTT 30N50L2,R1280NC25K,R1280NC25L,MCD 56-18IO8B,IXBOD 2-52R,R1280NC25J,IXTQ 52N30P,MCK 200-18IO1,IXYR 100N120C3,L,公用事业规模转换器,可再生发电,大中型驱动器,CONSUMER ELECTRONICS,DATA ACQUISITION,DATA COMMUNICATIONS,ELECTRONIC SWITCHING,INDUSTRIAL CONTROLS,INDUSTRIAL FACILITIES,INSTRUMENTATION,LARGE AND MEDIUM DRIVES,MEDICAL EQUIPMENT,MULTIPLEXERS,RENEWABLE GENERATION,SECURITY,TELECOMMUNICATIONS,UTILITIES SCALE CONVERTERS,VEHICLES
MDD快恢复二极管在PFC电路中的作用：如何降低开关损耗？
在PFC电路中，二极管的选择至关重要，因为其反向恢复特性直接影响开关损耗、效率和EMI（电磁干扰）。相比普通整流二极管，MDD快恢复二极管（FRD）因其更短的反向恢复时间（trr）和更低的反向恢复电流（Irr），成为降低PFC电路开关损耗的关键组件。
DSEP2X31-06A高性能快恢复二极管
该资料介绍了IXYS公司的DSEP2x31-06A型号快速恢复二极管。该二极管具有低漏电流、短恢复时间、软恢复行为等特点，适用于高频开关设备、隔离电压等应用。
IXYS - DSEP2X31-06B,反并联二极管,嬉皮士,抗饱和二极管,续流二极管,缓冲二极管,高性能快速恢复二极管,ANTIPARALLEL DIODE,ANTISATURATION DIODE,FREE WHEELING DIODE,HIGH PERFORMANCE FAST RECOVERY DIODE,HIPERFRED,SNUBBER DIODE,DSEP2X31-06A,不断电系统,不间断电源,供应品,开关模式电源,整流管,RECTIFIERS,SMPS,SUPPLIES,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES,UPS
Maxell FOWLP & WLCSP Package Foundry 小型量制造服务
Maxell 提供的 Package Foundry 服务专注于 FOWLP (Fan Out Wafer Level Package) 和 WLCSP (Wafer Level Chip Size Package) 的小型量制造。该服务利用半导体前端工艺和电镀技术制造铜重连封装，并具备硅、碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等化合物半导体封装的经验。Maxell 的服务包括设计验证、热散性优化、工艺集成等，并提供多种封装类型，如 FOWLP、WLCSP、SiP、DSEP、AiP 和超薄封装等。Maxell 的生产线包括 1 英寸和 6 英寸生产线，用于原型和中小批量生产，并支持多种封装类型和凸块类型。
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