DSS 2x61-0045A
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凌讯微电子CS13N50系列高压MOS,封装:TO-220AB、TO-220F、TO-263 、TO-252、TO-251,I D:13AV, DSS :500V,RDSON-typ VGS=10V :0.37Ω。
ETEK(力芯微电子)MOSFET选型表
ETEK(力芯微电子)MOSFET选型:V(BR)DSS(V):12~60,ID(A):0.34~40,VGS(V):±10~±20,RDS(ON)@VGS=4.5V:1.4~320。
产品型号
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品类
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V(BR)DSS(V)
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ID(A)
|
VGS(V)
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VTH(V)
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RDS(ON)@VGS=4.5V
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RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)
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Package
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EMO40N031T
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MOSFET
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30
|
40
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±20
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1.6
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6.5
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4.3
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PDFN3030-8L
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选型表 - ETEK 立即选型
广告 发布时间 : 2025-03-03
长晶科技复合管选型表
长晶科技提供如下复合管的技术选型:ID(A)范围:-3.3~+0.8;VGS(th)(V)范围:-0.45~+2.5;VBR(DSS)(V)范围:-20~+60.....具有PNP+N-ch、NPN、ZD+PMOS、ZD+NMOS四种Polarity模式可选,长晶科技的复合管有SOT-353、WBHFBP-06L-F、DFNWB2×2-6L-SA等多种封装形式,可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。
产品型号
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品类
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Status
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Polarity
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Package
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ID(A)
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VGS(th)(V)
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VBR(DSS)(V)
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VCEO(V)
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IC(mA)
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hEF Min(V)
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hEF Max(V)
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CJMNT32_WBHFBP-06L-F
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Power Management Transistors-MOSFET
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Active
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PNP+N-ch
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WBHFBP-06L-F
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0.8
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0.44~1.1
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20
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-32
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-1500
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100
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300
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选型表 - 长晶科技 立即选型
久昌科技场效应晶体管选型表
久昌科技场效应晶体管选型:Polarity:N/P,V(BR)DSS(V):-100~200,VGS(V):±5~±20,RDS(ON) (typ. mΩ) @ VGS=10V:1.3-6500,ID (A) @ TC=25℃:-60~310.
产品型号
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品类
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Polarity
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Configuration
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ESD(Y/N)
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V(BR)DSS(V)
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VGS(V)
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VGS(TH) (V)Min.
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VGS(TH) (V)Typ.
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VGS(TH) (V)Max.
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RDS(ON) (typ. mΩ) @ VGS=10V
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RDS(ON) (typ. mΩ) @ VGS=4.5V
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ID (A) @ TC=25℃
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ID (A) @ TC=70℃
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Package
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SG20N01D
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场效应晶体管
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N
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Single
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No
|
20
|
±20
|
0.5
|
0.8
|
1.2
|
3.8
|
4.9
|
63
|
50
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TO-252
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选型表 - 久昌科技 立即选型
MDD MOS管选型表
提供MDD MOS管选型,产品为SOT-23封装形式,覆盖VBR(DSS)(V)范围:-50~+100;ID(A)范围:-4.8~+6;PD(W):+0.225~+1.56,适用于网络通讯设备, 消费类电子产品, 安防设备, 汽车电子, 工业电源, 充电柱, 表计, LED照明, 物联网等领域。
产品型号
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品类
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PD(W)
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ID(A)
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VBR(DSS)(V)
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RDS (ON)(MAX)(Ω)
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RDS (ON)(MAX)ID(A)
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RDS (ON)(MAX)VGS(V)
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VGS (th)(V)
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VGS (th)(V)ID(uA)
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GFS(S)
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GFS VDS(V)
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Package
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BSS138
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MOS管
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0.3
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0.5
|
50
|
2
|
0.5
|
10
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1.5
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0.25
|
100
|
10
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SOT-23
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选型表 - MDD 立即选型
两轮/三轮电动车简介
全球电动两轮/三轮锂离子电池组包市场在2018年至2024年间预计将呈现两位数增长。市场驱动因素包括政府税收优惠、监管环境改善、二氧化碳排放征税以及各国政府推动电力车械转型。锂离子电池组因其重量轻、能量密度高和回收问题较少而逐渐取代传统的密封铅酸蓄电池。全球电动滑板车和摩托车市场预计将达到6000万辆。资料还介绍了全球主要电动两轮/三轮车制造商的生产时间安排,以及轻型电动车的小型解决方案、架构、电池管理系统、ECU/马达驱动、车载充电器和舒适安全单元等关键组件。此外,还提到了行业标准、更多商机以及Littelfuse作为轻型电动车的战略供应商和设计合作伙伴所提供的服务。
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【产品】集成DVB-S/S2和DSS数字解调器的低功耗数字电视解调器Si2166-B22
Si2166-B22是一款由Silicon Labs(芯科科技)推出的数字电视解调器,其将DVB-S,DVB-S2(AMC兼容)和DSS数字解调器集成到单个CMOS芯片中,以实现最广泛的卫星电视标准。 Si2166-B22利用Silicon Labs久经考验的数字解调架构,实现了卓越的卫星接收性能,同时最大限度地降低了前端设计的复杂性和成本。
HT-SCN-3-28+功率分配器/组合器3路-0°50Ω1600至2800 MH
本资料介绍了HT-SCN-3-28+功率分配器/合成器的技术规格和应用。该器件具有低插入损耗、良好的幅度不平衡和相位不平衡特性,适用于DSS、PSC、DECT和WLAN等领域。
HENRYTECH - DSS,功率分配器/组合器,POWER SPLITTER/COMBINER,HT-SCN-3-28+,决策支持系统,无线局域网,DECT,PSC,WLAN
SM60N03B2 N沟道MOSFET
本资料介绍了SM60N03B2型号的N-Channel MOSFET产品。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高压耐压(V(BR)DSS)和高电流承载能力(ID)。它适用于DC/DC转换器、便携式设备的负载开关和电池开关等应用。
世晶半导体 - N沟道贴片MOS管,N-CHANNEL MOSFET,SM60N03B2,便携式设备,蓄电池开关,负载开关,DC/DC变换器,BATTERY SWITCH,DC/DC CONVERTER,LOAD SWITCH,PORTABLE DEVICES
DSS 2x160-01A功率肖特基整流器
该资料介绍了IXYS公司生产的DSS 2x160-01A型号功率肖特基整流器。该产品具有非常低的正向压降(VF = 0.81 V),适用于开关模式电源(SMPS)等应用,具有良好的可靠性和低噪声切换特性。
IXYS - DSS2X160-01A,功率肖特基整流器,POWER SCHOTTKY RECTIFIER,DSS 2X160-01A,低压变流器中的续流二极管,开关电源(SMPS)中的整流器,FREE WHEELING DIODE IN LOW VOLTAGE CONVERTERS,RECTIFIERS IN SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
在某车规雷达项目中,需要用到一款N-Channel MOSFET,要求车规级,V(BR)DSS最好100V,有没有合适方案推荐?
推荐安邦BSS123-Q1 满足车规级要求 规格书/product/501661182.html
JieJie Microelectronics Launched Its Car-grade SGT MOSFET Which VBR(DSS)_Min from 40V to 150V
After launching its industry-leading JSFET® 30 ~ 150V series SGT MOSFETs, JieJie Microelectronics focused on applications such as NEVs and smart grids and launched its car-grade SGT MOSFET devices, as end markets placed greater and greater emphasis on the reliability of power devices.
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