G4S06515QT
相关结果约27条【产品】DFN8*8紧凑表贴封装的650V SiC二极管,高度仅1mm,帮助实现更紧凑、高能效设计
为了帮助工程师设计密度更高,效率更高的功率转换级,泰科天润(GPT)推出了DFN8*8的紧凑型表面贴装型号,涵盖650V 4A/6A/8A/10A/15A的产品可供选择。产品包括G5S06504QT,G5S06506QT,G5S06508QT,G5S06510QT,G4S06515QT。
请推荐一款SIC肖特基二极管,用于大功率电源模块项目, DFN8*8封装,单芯,Vrrm=650V,IF=15A。
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发布时间 : 2025-03-03
泰科天润(GPT)SiC碳化硅芯片/SiC碳化硅二极管选型指南
Company Profile SiC Chip/SiC Devices
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AC/DC电源模块需要一颗SiC肖特基二极管做整流,参数要求如下:650V,15A,DFN8*8封装,最高工作温度达175℃。
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G4S06515QT Silicon Carbide Schottky Diode
本资料介绍了G4S06515QT碳化硅肖特基二极管的产品特性、最大额定值、电学特性、热特性、典型特性曲线、封装尺寸和订购信息。该器件具有零反向恢复电流、零正向恢复电压、温度独立开关行为和高频操作等特点,适用于SMPS、PFC、太阳能应用、UPS、电动汽车/混合动力汽车、电机驱动器、风力涡轮机和铁路牵引等领域。
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【选型】泰科天润(GPT) SiC碳化硅肖特基二极管选型指南
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泰科天润碳化硅二极管选型表
提供泰科天润碳化硅二极管选型,覆盖常规封装SOD123、SMA、TO-220AC、TO-252、TO-263、TO-247等,覆盖常规功率段,晶圆尺寸:4寸/6寸,VRRM(V):650V-3300V。
产品型号
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品类
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晶圆尺寸
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Package
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Config.
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VRRM(V)
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IF(A)(Tc=160℃)
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IF(A)(Tc=125℃)
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IF(A)(Tc=25℃)
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IFSM(A)(Tc=25℃)
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RTH-JC(Typ.)(℃/W)
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Qc(nc)(Tj=25℃)
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Ptot(W)(Tc=25℃)
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Ptot(W)(Tc=110℃)
|
VF(Typ.)(V)(Tj=25℃)
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VF(Max.)(V)(Tj=25℃)
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VF(Typ.)(V)(Tj=175℃)
|
VF(Max.)(V)(Tj=175℃)
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IR(Typ.)(Tj=25℃)(uA)
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IR(Max.)(uA)(Tj=25℃)
|
IR(Typ.)(uA)(Tj=175℃)
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IR(Max.)(uA)(Tj=175℃)
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G4S06515QT
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碳化硅肖特基功率二极管
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4寸
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DFN8*8
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单芯
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650
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15(156℃)
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28.9
|
53
|
130
|
0.57
|
31(VR=400V)
|
263
|
114
|
1.5
|
1.7
|
2
|
2.5
|
0.5
|
50
|
1.4
|
100
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G4S06515QT 碳化硅肖特基二极管
该资料详细介绍了G4S06515QT碳化硅肖特基二极管的产品特性、参数、电特性、热特性、典型特性曲线、封装尺寸和订购信息。该二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压等特点,适用于开关电源、电动汽车、电机驱动器、光伏和风力发电等领域。
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【产品】采用DFN8*8紧凑的表贴封装的国产SIC二极管可用于PC电源上,高度仅1mm
为了帮助工程师设计密度更高,效率更高的功率转换级,泰科天润(GPT)推出了DFN8*8的紧凑型表面贴装的SIC二极管,可用于PC电源上,高度仅1mm;其优秀的反向恢复性能可以减少功率损耗,提高整机效率;可以减少发热从而减小散热器的体积及整机重量。
泰科天润携6英寸碳化硅晶圆和碳化硅功率器件出展2021全球第三代半导体快充产业峰会
7月30日,泰科天润作为第三代半导体碳化硅代表企业受邀参加全球第三代半导体快充产业峰会,润重点展示了公司自主研发生产的6英寸碳化硅晶圆和碳化硅功率器件(包括DFN8*8、DFN5*6、SOD123等多种封装型号单管产品)。
泰科天润展出三款基于碳化硅二极管的百瓦级快充参考设计,涵盖200W/120W/100W热门功率段
在2021年4月14日-16日的慕尼黑上海电子展上,泰科天润展出了在2021年4月14日-16日的慕尼黑上海电子展上,泰科天润展出了三款基于碳化硅二极管的百瓦级别快充参考设计,涵盖200W、120W和100W三个热门功率段。
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