GW5-S12002
相关结果约3648739条泰科天润(GPT)SiC碳化硅芯片/SiC碳化硅二极管选型指南
Company Profile SiC Chip/SiC Devices
泰科天润 - GW5-S12002,碳化硅裸模,SIC功率器件,SIC器件,SIC裸片,SIC BARE DIE,SIC DEVICES,SIC POWER DEVICES,SILICON CARBIDE BARE DIE,SILICON CARBIDE DEVICES,G3S06506D,GW3-S12050,G5S06505DT,G3S06506C,G3S06506A,G4S06508HT,G3S06550A,G5S12020B,G3S17020PP,G3S06510C,G3S06510D,G5S12020A,G3S12020A,G3S06,三相整流电源,不间断电源,串式光伏逆变器,乘用车,伺服器电源,低速汽车,充电模块,光伏汇流箱,功率因素矫正,单相整流电源,家用电器,工业电机驱动器,微型逆变器,最大功率点,电动工具适配器,电动汽车充电座,电动自行车适配器,矿工电源,移动电话适配器,笔记本适配器,输出整流,适配器,高压直流模块,LED电源,PC电源,PV逆变器,太阳能用DC/AC变换器,风力发电用DC/AC变换器, LOW SPEED CAR,ADAPTER,AUTOMOTIVE,CHANGING MODULE,CHARGE BLOCK FOR ELECTRIC CARS,CHARGE MODULE,CHARGING MODULE,DC / AC CONVERTERS FOR SOLAR POWER,DC / AC CONVERTERS FOR WIND POWER,E-BIKE ADAPTER,E-BIKE ADAPTER,ELECTRICAL HOUSE HOLD APPLIANCES,HOUSEHOLD APPLIANCES,HVDC MODULE,INDUSTRI-AL,INDUSTRIAL MOTOR DRIVERS,LED POWER SUPPLY,LOW SPEED CAR,MICRO INVERTER,MICRO INVERTER,MINER POWER SUPPLY,MINER POWER SUPPLY,MOBILE PHONE,MOBILE PHONE ADAPTER,MPPT,NOTEBOOK ADAPTER,OBC,OUTPUT RECTIFICATION,PASSENGER CAR,PASSENGER CAR,PC POWER SUPPLY,POWER FACTOR CORRECTION,POWER TOOLS,POWER TOOLS ADAPTER,PV COMBINER BOX,PV INVERTER,RAILWAY,SERVER POWER,SERVER POWER,SINGLE-PHASE RECTIFIED POWER SUPPLY,STRING PHOTOVOLTAIC INVERTER,STRING PHOTOVOLTAIC INVERTER,THREE-PHASE RECTIFIED POWER SUPPLY,UPS
泰科天润碳化硅芯片选型表
泰科天润碳化硅芯片选型:反向重复电压 (V):600-3300V,正向平均电流 (A):0.6-100A,正向压降VF (V) 25℃- (typ.):1.33-2.5V,正向压降VF (V) 25℃- (max.):1.7-3V。
产品型号
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品类
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反向重复电压 (V)
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正向平均电流 (A)
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正向压降VF (V) 25℃- (typ.)
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正向压降VF (V) 25℃- (max.)
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封装
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GW5-S12002
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碳化硅芯片
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1200
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2
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1.38
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1.7
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bare chip
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广告 发布时间 : 2025-03-03
GW5-S12002 碳化硅肖特基二极管芯片
该资料介绍了GW5-S12002型碳化硅肖特基二极管芯片的技术规格和应用信息。芯片具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性,适用于高温和高频工作环境。
泰科天润 - GW5-S12002,碳化硅肖特基二极管芯片
【产品】1200V碳化硅肖特基功率二极管GW5-S12002/GW5-S12020,最高工作温度175°C
泰科天润推出的GW5-S12002和GW5-S12020系列1200V碳化硅肖特基功率二极管芯片,如图1所示,正向平均电流分别为2A和20A。系列器件具有正温度系数,易于并联使用。此外,器件具有不受温度影响的开关特性,最高工作温度可达175°C。器件可用于开关模式电源(SMPS),功率因数校正(PFC) ,电机驱动等领域。
GW5-S12002 1200V/2A碳化硅功率肖特基势垒裸模
本资料为GW5-S12002型1200V/2A碳化硅肖特基势垒裸片的规格说明书。该产品具有零反向恢复电流、零正向恢复电压、温度独立开关行为等特点,适用于高温和高频操作。
泰科天润 - GW5-S12002,碳化硅功率肖特基势垒裸模,SILICON CARBIDE POWER SCHOTTKY BARRIER BARE DIE
GW5-S12002 1200V/2A 碳化硅肖特基功率二极管芯片 产品规格书
本资料介绍了泰科天润半导体科技(北京)有限公司生产的GW5-S12002碳化硅肖特基功率二极管芯片。该产品具有正温度系数、不受温度影响的开关特性,最高工作温度可达175℃,零反向恢复电流和零正向恢复电压等特点。
泰科天润 - GW5-S12002,1200V/2A 碳化硅肖特基功率二极管芯片
碳化硅肖特基二极管的优势及应用
肖特基二极管,又称热载流子二极管,通过金属和半导体接触(肖特基接触)形成肖特基势垒,实现整流。与普通PN结二极管相比,肖特基二极管的反向恢复惯性非常低。因此,肖特基二极管适用于高频整流或高速开关。碳化硅(SiC)是一种高性能的半导体材料,基于SiC的肖特基二极管(SiC Schottky Diode)具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在电力电子技术领域打破硅的极限。
G5S12010M 1200V/10A 碳化硅肖特基二极管
G5S12010M 是一款1200V/10A的碳化硅肖特基二极管,采用TO-220F封装。该二极管基于肖特基势垒原理,使用耐高温金属,能够在高达175°C的结温下可靠工作。其独特的专有势垒技术确保了高温度操作下的稳定性能。典型应用包括开关电源、适配器、DC/DC转换器、续流二极管和极性保护二极管等。碳化硅肖特基功率二极管在电力电子、可再生能源、电动汽车、航空航天和国防以及工业应用中表现出色。它们具有低正向电压降和快速开关特性,适用于高效能电源转换系统,能够减少损耗并提高效率。此外,碳化硅材料的高温操作能力和抗恶劣环境特性使其成为这些领域的理想选择。
MERRYELC - 二极管,碳化硅肖特基二极管,G5S12010M,可再生能源,工业应用,电力电子,电动汽车,航空航天和国防
C3D06065A 碳化硅肖特基二极管
C3D06065A 是 Wolfspeed 的碳化硅(SiC)肖特基二极管,具有超过七万亿小时的现场运行时间,最低的FIT率,以及30多年的碳化硅经验。该二极管采用MPS(Merged PiN Schottky)设计,比标准肖特基势垒二极管更坚固可靠。与碳化硅MOSFET配对使用时,可以实现更高的效率并降低组件成本。
MEV ELEKTRONIK SERVICE GMBH - 碳化硅,功率转换,肖特基二极管,C3D06065A,电源管理
G5S12010M 1200V/10A 碳化硅肖特基二极管
G5S12010M是一款1200V/10A的碳化硅肖特基二极管,采用TO-220F封装。该二极管使用耐高温金属的肖特基势垒原理,能够在高达175°C的工作温度下稳定运行。其典型应用场景包括开关电源、DC-DC转换器、续流二极管和极性保护等。碳化硅肖特基二极管因其高效率、快速切换和高温工作能力,在多个领域得到广泛应用,如电力电子、可再生能源系统(太阳能和风能)、电动汽车、航空航天与国防工业以及各种工业应用。这些特性使其成为需要高效和可靠性能应用的理想选择。
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