MOSFETs器件

浅谈多并联SiC MOSFETs不均流问题

随着宽禁带功率器件的发展，电力电子系统具有同时实现高效率和高功率密度的潜力。随着对更高驱动功率需求的增加，牵引逆变器中的开关器件对电流能力的要求越来越高。单个芯片的热机械应力限制了芯片上的有效面积，单个SiC MOSFET芯片的电流等级也受到限制。多芯片并联已成为提高电力电子系统电流能力的必然途径。然而，由于不对称的版图、不匹配的器件参数和不同的冷却条件，并联芯片之间的不平衡电流是不可避免的。

2025-01-20 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

Central Semiconductor（中央半导体）贴片式分立半导体选型指南

MOSFETs Part Number Index Small Signal Transistors Bipolar Power Transistors Diodes Protection Devices Rectifiers Thyristors Multi Discrete Modules Package Mechanical Specifications

CENTRAL SEMICONDUCTOR - MOSFETS,MOSFETS器件,一般型整流器,二极管,低噪声放大器,低泄漏二极管,双向可控硅,双极功率晶体管,多离散模块,射频振荡器,小信号晶体管,开关二极管,快速恢复整流器,整流管,桥式整流器,温度补偿齐纳二极管,瞬态电压抑制器,稳压二极管,肖特基二极管,肖特基整流器,螺旋电缆,超低泄漏二极管,超快恢复整流器,达林顿,通用开关,通用放大器,限流二极管,饱和开关,ESD保护四线二极管阵列,ESD瞬态电压抑制器,碳化硅（SIC）肖特基整流器,高电流、限流二极管, CURRENT LIMITING DIODES,BIPOLAR POWER TRANSISTORS,BRIDGE RECTIFIERS,CHOPPER,CURRENT LIMITING DIODES,DARLINGTON,DARLINGTON BIPOLAR POWER TRANSISTORS,DIODE ARRAY,DIODES,ESD PROTECTION QUAD LINE DIODE ARRAY,ESD TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS,EXTREMELY HIGH VOLTAGE BIPOLAR POWER TRANSISTORS,FAST RECOVERY RECTIFIERS,GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS,GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS/SWITCHES,GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS/SWITCHES BIPOLAR POWER TRANSISTORS,GENERAL PURPOSE RECTIFIERS,GENERAL PURPOSE SWITCHES,HIGH CURRENT,HIGH CURRENT SMALL SIGNAL TRANSISTOR,HIGH VOLTAGE BIPOLAR POWER TRANSISTORS,HIGH VOLTAGE SMALL SIGNAL TRANSISTOR,HYPER FAST RECOVERY RECTIFIERS,LOW LEAKAGE DIODES,LOW NOISE AMPLIFIERS,LOW VCE(SAT) BIPOLAR POWER TRANSISTORS,LOW VCE(SAT) SMALL SIGNAL TRANSISTOR,LOW VF SCHOTTKY DIODE,MULTI DISCRETE MODULES,N-CHANNEL MOSFET,N-CHANNEL MOSFETS,P-CHANNEL MOSFET,P-CHANNEL MOSFETS,RECTIFIERS,RF OSCILLATOR,SATURATED SWITCHES,SCHOTTKY DIODES,SCHOTTKY RECTIFIERS,SCRS,SILICON CARBIDE (SIC) SCHOTTKY RECTIFIERS,SILICON CARBIDE SCHOTTKY RECTIFIERS,SMALL SIGNAL TRANSISTORS,STABISTOR DIODES,SUPER FAST RECOVERY RECTIFIERS,SWITCHING DIODES,TEMPERATURE COMPENSATED ZENER DIODES,TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS,TRIACS,TVS,TVS ARRAY,ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIERS,ULTRA LOW LEAKAGE DIODES,ZENER ARRAY,ZENER DIODES,CMUT3904,CMDZ10L,CMXZ9V1TO,CMZ5935B,P4SMA16A,CMUT3906,CMPZDC2V7,CMPZDC36V,CMSZ5252B,P6SMB56A,CLL4754A,CMF64A,CMR1U-04FL,CMPD2003,CMDZ10V,CMKBR-6F,CMDZ,军工,医学,太阳能,工业,智能可穿戴设备,替代能源,消费,照明,网络,航空,AERO,ALTERNATIVE ENERGY,CONSUMER,INDUSTRIAL,LIGHTING,MEDICAL,MIL,NETWORKING,SMART WEARABLES,SOLAR

2020/2/28 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

小信号分立器件（长销产品）

ROHM公司的小信号分立器件产品概述，包括开关二极管、肖特基二极管、稳压二极管、双极型晶体管、数字晶体管和MOSFET等，具有超过60亿件的销售记录。产品特点包括长期生产、稳定供应、垂直整合策略和产品寿命计划，适用于长寿命周期应用。资料详细介绍了各类产品的规格、特性和应用，强调ROHM在行业中的领先地位。

ROHM - MOSFETS,MOSFETS器件,双极晶体管,小信号双极晶体管,小信号开关二极管,小信号数字晶体管,小信号肖特基势垒二极管,小信号齐纳二极管,开关二极管,数字晶体管,稳压二极管,肖特基势垒二极管,小信号MOSFET,BIPOLAR TRANSISTORS,DIGITAL TRANSISTORS,SCHOTTKY BARRIER DIODES,SMALL-SIGNAL BIPOLAR TRANSISTORS,SMALL-SIGNAL DIGITAL TRANSISTORS,SMALL-SIGNAL MOSFETS,SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DIODES,SMALL-SIGNAL SWITCHING DIODE,SMALL-SIGNAL ZENER DIODES,SWITCHING DIODES,ZENER DIODES,DTC144EU3,DTC123JU3,1SS400SM,DTC114TU3,DTA114EU3,UDZV10B,1SS355VM,DTA143EU3,DTC1XXXU3,DTA124EU3,DTA114YU3,DTA1XXXU3,DTC124EU3,UDZV,2SC4081U3,DTC143TU3,一般小信号放大,切换,小电流整流,恒压控制,接口电路,逆变器,驱动,高速切换,CONSTANT VOLTAGE CONTROL,DRIVER,GENERAL SMALL-SIGNAL AMPLIFICATION,HIGH-SPEED SWITCHING,INTERFACE CIRCUITS,INVERTER,SMALL CURRENT RECTIFICATION,SWITCHING

10.2023 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

S30P32DNE 30V P沟道MOSFET

该资料介绍了S30P32DNE系列30V P-Channel MOSFETs，这些器件采用沟槽DMOS技术，具有低导通电阻、快速开关性能和耐高压脉冲的特点，适用于高效率快速开关应用。

SUMSEMI - P沟道MOSFET,P沟道增强型功率场效应晶体管,P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS,P-CHANNEL MOSFETS,S30P32DNE,手持乐器,电池保护,笔记本,负载开关,BATTERY PROTECTION,HAND-HELD INSTRUMENTS,LOAD SWITCH,NOTEBOOK

2019/11/15 - 数据手册 - V 1.0 代理服务技术支持采购服务

2N3660 60V双N沟道MOSFET

该资料介绍了2N3660双通道MOSFET的特性。它采用先进的沟槽技术，提供优异的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。这些MOSFET在推挽和桥式拓扑结构中表现出极高的效率。

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2018/10/19 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

SK6602DM

该资料介绍了SK6602DM功率MOSFET的特性，包括其电气参数、热特性、开关参数等。它采用先进的沟槽技术，提供优异的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用。

时科 - MOSFETS,MOSFETS器件,SK6602DM

2024/4/10 - 数据手册 - REV.08 代理服务技术支持采购服务

IXFN 340N07 HiPerFET Power MOSFETs

本资料介绍了IXFN 340N07型HiPerFET Power MOSFET单芯片MOSFET的特性。该器件具有高耐压、低导通电阻、快速恢复特性，适用于DC-DC转换器、电池充电器、开关电源、直流斩波器等领域。

LITTELFUSE - SINGLE DIE HIPERFET™ POWER MOSFETS,单芯HIPERFET™ 功率金氧半电晶体,IXFN 340N07,IXFN340N07,开关模式和谐振模式电源,温度和照明控制,直流斩波器,线性电流调节器,蓄电池充电器,DC-DC转换器,BATTERY CHARGERS,DC CHOPPERS,DC-DC CONVERTERS,LINEAR CURRENT REGULATORS,SWITCHED-MODE AND RESONANT-MODE POWER SUPPLIES,TEMPERATURE AND LIGHTING CONTROLS

2019/04/02 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

DE系列MOSFET、DEIC420和SOP-28 IC器件安装说明

本资料主要介绍了DE系列MOSFET、DEIC420和SOP-28 IC的安装与固定方法。内容涵盖了低功率和高功率应用中的不同安装配置，包括标签面朝上或朝下、使用散热片等。此外，还讨论了IXDD415门驱动IC和IXLD02激光二极管驱动IC的安装，以及MOSFET引脚弯曲指南。

IXYS - MOSFETS,MOSFETS器件,门驱动器集成电路,GATE DRIVER IC,DE,IXLD02,IXDD415,DEIC420,DE-275

2003 - 用户指南 - Rev 3 代理服务技术支持采购服务

专注MOSFETs分立器件及芯片的RealChip®正芯半导体再获两项国家级专利

持续创新、不断进步，为全球电子客户设计并生产提供高可靠、高品质MOSFETs分立器件及芯片是正芯 ® 半导体公司永恒不变的追求，近日，正芯 ® 半导体技术再增两项国家级新型专利！

2022-10-22 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

P54B4SN功率MOSFETs 40V，54A，N通道

本资料介绍了型号为P54B4SN的N沟道功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、10伏栅极驱动电压、低电容等特点，适用于多种电子设备。

SHINDENGEN - 功率MOSFETS,POWER MOSFETS,P54B4SN

2022.06 - 数据手册 - Rev.04 代理服务技术支持采购服务

Diotec（德欧泰克）小信号晶体管选型指南

Small Signal Transistors

DIOTEC - MOSFETS,MOSFETS器件,双极结型晶体管,数字晶体管,ESD保护二极管,BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS,DIGITAL TRANSISTORS,ESD PROTECTION DIODE,TRANSISTOR,BC857C,BC857A,BC558A,BC327-40,BC857B,BCX-16,BC546A,BC558B,BC546B,BC558C,2N7002A,BC546C,BCP53-10,BC328-16,2N2222A,BCX-10,BC857S,MMDT5211,BC847CW,MPSA92

2021 - 选型指南 - Version 26 代理服务技术支持采购服务

最大效率的死区时间优化白皮书

本文探讨了eGaN® FET和MOSFET在死区时间对系统效率的影响。文章分析了死区时间相关的损耗，包括体二极管正向导通和反向恢复损耗、输出电容损耗以及开关损耗。通过比较eGaN FET和MOSFET在不同负载电流和死区时间下的损耗，得出eGaN FET在优化死区时间以降低损耗方面具有优势。此外，文章还讨论了在eGaN FET中添加外部肖特基二极管以进一步降低损耗的可能性。实验验证了理论分析的结果，表明添加外部肖特基二极管可以显著降低死区时间损耗。

EPC - MOSFETS,MOSFETS器件,氮化镓®场效应晶体管,EGAN® FETS

2020/7/7 - 白皮书代理服务技术支持采购服务