SiC三相桥塑封模块
相关结果约3237172条【元件】瞻芯电子正式推出车规级1200V SiC三相桥塑封模块,尺寸更紧凑,应用更可靠
近日,瞻芯电子正式推出一款车规级1200V碳化硅(SiC)三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z,该模块产品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分别获得了AQG324与AEC-Q101车规级可靠性认证。
爱仕特D21系列三相桥碳化硅模块,具有高效能、高功率密度和优秀的散热性能,引领车载空调压缩机发展
在2024年上海慕尼黑电子展上,爱仕特隆重推出了创新力作D21系列模块——1200V三相全桥碳化硅模块。这款模块采用紧凑型顶部散热塑封结构,以其高效能、高功率密度和优秀的散热性能,展现了碳化硅材料在高压、高频、低损耗方面的优势,为电动汽车空调压缩机、车载充电机及工业驱动系统等提供了创新解决方案,推动行业向更高效、更环保的方向迈进。
发布时间 : 2025-03-03
瞻芯电子2.5kW图腾柱PFC将与11kW三相桥电机驱动模块携手亮相第十三届亚洲电源技术论坛
瞻芯电子将携全系列SiC功率半导体和芯片产品参展第十三届亚洲电源技术发展论坛,并现场运行自主开发的2套应用方案:调试2.5kW 图腾柱PFC电源输出400Vdc,为11kW 车载空压机驱动供电,以带载运行、展示波形图。
带制动器的600V/200A三相桥式PEM 4854
MSK4854是一款专为军事、航空航天等严苛环境应用设计的塑料封装模块(PEM),具有全三相桥配置、SCR/IGBT制动电路、600伏/200安培的额定电压和连续输出电流。该模块采用轻质AlSiC基板,具有优异的热导率和机械设计,适用于高电流电机驱动和逆变器应用。
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三相桥臂SiC MOSFET功率模块APTMC120TAM33CTPAG
MICROSEMI - 三相桥臂SIC MOSFET功率模块,TRIPLE PHASE LEG SIC MOSFET POWER MODULE,功率模块,POWER MODULE,APTMC120TAM33CTPAG,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES,WELDING CONVERTERS,电机控制,开关模式电源,焊接转换器,不断电系统,SWITCHED MODE POWER SUPPLIES,MOTOR CONTROL
MSCDC50X701AG SiC二极管三相桥式电源模块
MICROCHIP - 碳化硅二极管三相桥式功率模块,SIC DIODE 3 PHASE BRIDGE POWER MODULE,MSCDC50X701AG,BATTERY DC POWER SUPPLY,WELDING CONVERTERS,电池直流电源,SWITCHED MODE POWER SUPPLIES,开关模式电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES,焊接转换器,不断电系统
MКД6-50-06:基于SiC的三相桥式整流模块
MКД6-50-06是一款基于碳化硅(SiC)肖特基二极管的三相桥式整流模块。该模块采用MPK-44封装,适用于各种通用设备。其最大工作电压为600伏特,最大允许连续正向电流为50安培。工作温度范围从-60°C到+150°C。这款模块具有高效率和高温稳定性,适用于需要高性能整流的应用场景,如工业电源、电机驱动和其他电力电子设备。其卓越的电气性能和宽温度范围使得它在严苛的工作环境中表现出色。
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NVXK2VR40WDT2 SiC MOSFET 三相桥模块,1200V,40 mΩ,31A
NVXK2VR40WDT2 是一款基于碳化硅(SiC)技术的三相桥功率模块,适用于车载充电器(OBC)等xEV应用。该模块具备1200V的漏源击穿电压和最大31A的连续漏极电流,导通电阻低至59mΩ。其紧凑的设计降低了总模块电阻,并且符合IEC 60664-1、IEC 60950-1的爬电距离和电气间隙要求。此外,它还通过了汽车级认证,如AEC-Q101和AQG324,确保在严苛环境下的可靠性和稳定性。该模块支持无铅、ROHS和UL94V-0标准,提供可追溯性序列化功能。典型应用场景包括车载充电器中的功率因数校正(PFC)。模块的最大结温为175°C,存储温度范围为-40°C至125°C。其热特性优异,具有较低的热阻,确保高效散热。主要规格参数包括:最大工作电压1200V,最大连续漏极电流31A,最大功耗102W,脉冲漏极电流170A,单脉冲浪涌电流能力403A,反向恢复能量338mJ。
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带制动器的600V/150A三相桥式PEM 4850
该资料介绍了MSK 4850型塑料封装模块(PEM),专为军事、航空航天等严苛环境应用设计。该模块采用三相桥式配置,配以SCR/IGBT制动电路,额定电压600V,连续输出电流150A,适用于高电流电机驱动和逆变器应用。其铝硅碳(AlSiC)基板提供优异的平坦性和轻量化,高热导率材料允许在较高的基板温度下实现高功率输出。
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SPM1005 600伏、16安、低损耗、超快IGBT三相桥模块,带SiC续流二极管
本资料为SENSITRON半导体公司SPM1005型600V、16A低损耗超快速IGBT三相桥式模块的技术数据手册。该模块采用SiC自由轮二极管,具有零反向恢复损耗、隔离基板、低热阻抗、氮化铝基板、轻量低剖面标准封装和高温工程塑料外壳结构等特点。
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SPM1018 900伏特90安培三相桥功率模块
SPM1018是一款900伏特、90安培的三相桥功率模块,适用于高功率应用。该模块采用碳化硅(SiC)技术,具备出色的电气和热性能。其主要特点包括:三相桥配置、AlN基板材料、额定电压为900伏特、连续漏极电流为90安培。此外,该模块在25°C结温下的典型参数包括:漏源击穿电压为900伏特,每个SiC腿的结到基板热阻为0.30°C/W。工作结温和存储温度范围均为-55°C至150°C。SPM1018适用于各种高可靠性应用场景,如航空航天、国防、医疗设备等。它能够提供坚固、轻量化且经济高效的解决方案,广泛应用于开关电源、AC-DC整流、主次级电源分配、运动控制以及瞬态电压尖峰保护等领域。
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MКД6-100-06:基于SiC的三相桥式整流模块
MКД6-100-06是一款基于碳化硅(SiC)肖特基二极管的三相桥式整流模块。该模块采用MPK-44封装,适用于各种通用设备。其最大工作电压为600伏特,最大允许连续正向电流为100安培,工作温度范围从-60°C到+150°C。这款模块具有高效能和高可靠性,特别适合用于需要高性能电力转换的应用场景。其主要特性包括高耐压、大电流承载能力和宽温工作范围,使其成为工业电力电子设备的理想选择。
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可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W; 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围:4W-60W。
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可定制插座连接器的间距1.25mm~2.54mm;列数:单列/双列/三列/四列;端子类型:直焊针、直角焊针、表面贴装式、无焊柔性针压接、绕接、载体.;镀层、车针长度/直径、连接针长度等参数可按需定制。
最小起订量:1 提交需求>