VIS30720 30V N-Channel Power Trench MOSFET
●一般说明
■SGT MOSFET技术
■4.5V VGS时RDS低(ON)
■低栅极电荷
■高电流能力
■符合RoHS和无卤素标准
●产品摘要
■电压:30伏
■内径(VGS=10V时):120A
■RDS(ON)(VGS=10V时,典型值):2.1mΩ
■RDS(开启)(VGS=4.5V时,典型值):3.0mΩ
■100%UIS测试
■100%RG测试
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产品型号
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品类
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BVDSS (V)
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lD (A)
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VTH (V)
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RDS(ON) @10VTyp(mΩ)
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RDS(ON) @4.5VTyp(mΩ)
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QG (nC)
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PO (W)
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MOS管
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30
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240
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