HGD313H IGBT 栅极驱动光耦合器产品规格书（HGD313H IGBT Gate Drive Opto-coupler SPECIFICATION）

时间： 2024-07-19

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●概述General
■光耦产品HGD313H 由砷化铝镓红外发光二极管耦合到一个集成电路的功率输出端。此光耦合器适合驱动功率IGBT 和场效应管用于电机控制逆变器应用程序。输出端高电压工作范围能提供所需的驱动门电压控制装置。The HGD313H consists of a AlGaAs LED, optically coupled to an integrated circuit with a power output stage. This optocoupler is ideally suited for driving power IGBTs and MOSFETs used in motor control inverter applications. The high operating voltage range of the output stage provides the drive voltages required by gate controlled devices.
●特点Features
■2.5A 最大峰值输出电流。2.5A maximum peak output current.
■2.0A 最小峰值输出电流。2.0 A minimum peak output current.
■轨至轨输出 Rail to rail output
■电源电压工作范围宽。Wide operating VCC Range: 15V to 30V.
■开关速度快，延迟时间最大值为500ns。Fast Switching Speed：500ns max. Propagation Delay.
■输入、输出间绝缘电压高。The isolation voltage between input and output is high: VISO≥7500Vrms.
■双列贴片宽体式8L 塑料封装。WSOP8 plastic package.
■UL 安全认证Safety certification of UL
■VDE 安全认证Safety certification of VDE
■符合RoHS 指令最新要求及REACH 法规最新要求。Compliance with the latest requirements of the RoHS Directive and the latest REACH requirements.

厂牌:	华联电子
型号:	HGD313H 查看更多 Part#
品类:	IGBT 栅极驱动光耦合器、IGBT栅极驱动光耦合器查看更多
应用:	[ IGBT 驱动 ][ MOSFET 驱动 ][ IGBT闸驱动 ][ mosfet栅极驱动 ][ 开关电源 ][ 工业逆变器 ][ 感应加热器 ][ 功率IGBT ][ 场效应管 ][ 电机控制逆变器 ] 查看更多
资料类型:	数据手册,产品规格书（SPECIFICATION）查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	WSOP8 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	2023-07-01
过期日期:
版本号:	Ver.1.2
文档编码:
文件大小:	1.6 MB
授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	安博在线平台www.cdsxtz.com
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HGD341P IGBT栅极驱动光耦合器（HGD341P IGBT Gate Drive Opto-coupler）

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2021-08-04 - 数据手册 - Ver.1.3 代理服务技术支持采购服务

HGD152 IGBT 栅极驱动光耦合器产品规格书（HGD152 IGBT Gate Drive Opto-coupler SPECIFICATION）

本资料为厦门华联半导体科技有限公司生产的HGD152栅极驱动光耦合器的产品规格书。该产品适用于驱动功率IGBT和场效应管，广泛应用于电机控制逆变器等应用场景。规格书详细介绍了产品的特性、应用、电原理图、极限参数、推荐工作条件、光电参数、外形尺寸、标志、包装方式、使用注意事项、产地等信息。

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2023-06-01 - 数据手册 - Ver.1.3 代理服务技术支持采购服务

华联电子栅极驱动、IPM驱动光耦选型表

提供华联电子栅极驱动、IPM驱动光耦选型，传输延时H-L/L-H：<200ns，栅极驱动光耦共模抑制比>30kV(VCM=1500V)、工作温度-40~105℃，IPM驱动光耦共模抑制比>20kV(VCM=1000V)、工作温度-40~110℃。

产品型号	品类	封装形式	输出类型	传输延时H-L/L-H(ns)	共模抑制比CMR	工作温度(℃）	介质耐压 (VRMS)	安规认证
HGD152	栅极驱动光耦	SOP5(4.6×3.7×3.35)	轨至轨	<200ns	>30kV(VCM=1500V	﹣40~105℃	3750	UL、VDE、CQC

选型表 - 华联电子代理服务技术支持采购服务立即选型

HGD313H IGBT栅极驱动光耦合器（HGD313H IGBT Gate Drive Opto-coupler）

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2021-04-01 - 数据手册 - Ver.1.2 代理服务技术支持采购服务

HGD332J IGBT 栅极驱动光耦合器产品规格书（HGD332J IGBT IGBT Gate Drive Opto-coupler SPECIFICATION）

本资料为厦门华联电子股份有限公司生产的HGD332J栅极驱动光耦合器的产品规格书。该产品适用于驱动功率IGBT和MOSFET，用于电机控制逆变器等应用。规格书详细介绍了产品的特性、应用、电气参数、绝缘特性、极限参数、推荐工作条件、光电参数、外形尺寸、标志、包装方式、使用注意事项、产地等信息。

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2020-06-01 - 数据手册 - Ver 1.0 代理服务技术支持采购服务

HGD3120× IGBT栅极驱动光耦合器（HGD3120× IGBT Gate Drive Opto-coupler）

本资料为厦门华联电子股份有限公司生产的HGD3120栅极驱动光耦合器的产品规格书。该产品适用于驱动功率IGBT和MOSFET，广泛应用于电机控制逆变器等领域。

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2020-06-01 - 数据手册 - Ver.1.0 代理服务技术支持采购服务

在在1500V的光伏逆变器里面，其内部的功率器件需要驱动，由于DC-DC和DC-AC属于高压系统，主控的DSP属于低压系统，因此驱动需要增加隔离功能，有外部的隔离方案吗？

推荐华联电子的宽体驱动光耦HGD313H，安全性高，HGD313H采用了加强绝缘型宽体封装，其强弱电两侧的安全距离可达14.5mm，塑封材料的CTI＞300V，使得输入输出侧之间的绝缘电压高达7500V，最大重复峰值隔离电压也可达2262V，确保了隔离驱动芯片在1500V光伏系统应用不会因为绝缘电压不够导致系统安全性降低。数据手册：/doc/3184651.html。

2023-03-17 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

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