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ADG075N65LT5 带反并联软快恢复二极管的IGBT分立器件(ADG075N65LT5 IGBT discrete with soft,fast recovery anti-parallel diode)

发布时间： 2024-07-23 品牌：阿基米德半导体

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●特性
■650V 沟槽栅/场截止工艺
■低开关损耗
■正温度系数
■低电磁干扰
■最高结温175℃
●Features
■650V Trench Gate/Field-Stop Process
■Low Switching Losses
■Positive Temperature Coefficient in VCEsat
■Low EMI
■Maximum Junction Temperature 175℃

授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	安博在线平台www.cdsxtz.com
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产品型号	品类	Package	VCE(V)	IC(A)
AMG200L12L1H3RB	IGBT功率模块	ACL	1200	200

选型表 - 阿基米德半导体代理服务技术支持采购服务立即选型

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SD50R07A6带反并联二极管的分立式IGBT

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阿基米德半导体 - FIELD STOP TRENCH IGBT,IGBT分立器件,场截止沟道IGBT,IGBT DISCRETE,ADH040N12HT5,INVERTER,逆变器,通用驱动器,空调PFC,不间断电源,伺服驱动器,UPS,GPD,AIR CONDITIONING PFC,GENERAL PURPOSE DRIVES,SERVO DRIVES

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