基本半导体（BASIC）碳化硅功率器件选型指南
●深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。
●基本半导体掌握碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率半导体的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等产业链关键环节，拥有知识产权两百余项，核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级及工业级碳化硅功率模块、功率器件驱动芯片等，性能达到国际先进水平，服务于光伏储能、电动汽车、轨道交通、工业控制、智能电网等领域的全球数百家客户。
●基本半导体是国家级专精特新“小巨人”企业，承担了国家工信部、科技部及广东省、深圳市的数十项研发及产业化项目，与深圳清华大学研究院共建第三代半导体材料与器件研发中心，是国家5G中高频器件创新中心股东单位之一，获批中国科协产学研融合技术创新服务体系第三代半导体协同创新中心、广东省第三代半导体碳化硅功率器件工程技术研究中心，荣获中国专利优秀奖、深圳市专利奖、2020“科创中国”新锐企业、“中国芯”优秀技术创新产品奖、中国创新创业大赛专业赛一等奖等荣誉。
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随着工业自动化与电机控制技术向高效化、智能化和节能化方向发展，传统硅基功率半导体已逐渐面临性能瓶颈，而碳化硅功率器件正在工业电机驱动、伺服控制、变频器等关键领域发挥重要作用。
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如今的储能系统被要求处理不常见的高水平电流，并且维持高度的可靠性和稳定性，在必要时，它们还需要快速精准地释放储存的能量，这需要高质量的宽禁带功率半导体。与传统硅器件相比，中瑞宏芯（macrocore semiconductor）的碳化硅MOSFET和Diode具有更高的性能和更低的损耗，同时允许能源系统工程师设计出更轻便的系统，从而降低整体系统尺寸和成本。
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可定制环氧胶的粘度范围（混合后）：1000-50000 mPa·s；固化方式：可加热、仅室温、可UV；其他参数如外观颜色、硬度等也可按需定制。
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