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请推荐一款LDO,输入36V以上，因电压会短时会到30V，输出3.3V，300mA,要带过温保护，谢谢！
您好，推荐润石的RS3007系列，有固定3.3V版本RS3007-3.3YD3，输入耐压高达45V，300mA输出电流带过温过流保护，参考链接：/doc/2267501.html
隐形车把手项目，电机驱动需要一款集成预驱的全桥MOS驱动芯片，电压24V以上，电流2.5A以上，封装越小越好。
推荐中科微的AT4950，内部集成了预驱加全桥MOS，电压最高32V，2A持续电流，3.6A峰值电流输出，SOP-8小体积封装，详细资料可以参考：/doc/previewDoc?docId=493218。
我们目前需要一款nmos，想找一款国产的，价格合适的物料，电压200V 以上，电流30A 以上，封装最好是TO263封装或者TO247的，你们有没有满足的物料让我们参考下的？
可以参考下CJB40N20这颗，参考链接：/doc/2331985.html
闸机项目中需要一款mos驱动，适应5V、3.3V输入电压，驱动电流1a左右，最好是SOP8封装
您好，推荐屹晶微电子EG2122是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，高端悬浮自举电源设计，耐压可达200V，适应5V、3.3V输入电压，输出电流能力IO+/- 0.8A/1.2A 数据手册/doc/3744180.html
一个按摩椅产品，需求一款需求一款H桥电机驱动，要求宽电压供电，2.7-12V，0.8A连续驱动输出，带过温保护，短路保护，欠压锁定，请问有合适的型号推荐吗？
你好，推荐中科微的H桥电机驱动AT8637S，数据手册链接：/doc/2163549.html
解析SiC MOS的栅极驱动设计——驱动电压
SiC MOSFET的门极驱动设计并不复杂。和硅基IGBT、硅基超结MOSFET基本类似。设计上可简单分解为硅基IGBT的负压驱动设计能力+硅基超结MOSFET的高速开关设计能力。本文昕感科技将为您介绍SiC MOS的栅极驱动设计——驱动电压。
SiC MOSFET驱动电压尖峰分析与抑制（上）
高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能显著提升系统效率，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而让驱动电压产生更大的尖峰。设计可靠的驱动电路来抑制的驱动电压尖峰，成为发挥SiC MOSFET优势特性的关键课题。为此，我们首先测试复现驱动尖峰波形并分析原因，然后采取相应措施来抑制尖峰。本篇主讲第一部分：驱动电压尖峰复现与分析。
SiC MOS器件短路保护的重要性及其方法
本文介绍SiC MOS器件短路保护的重要性及其方法。
瞻芯电子开发的车规级5.7kVrms隔离驱动芯片IVCO141x量产，集成负压驱动/短路保护
瞻芯电子开发的3款5.7kVrms隔离型、单通道栅极驱动芯片IVCO141x正式量产，并导入多家客户试用。IVCO141x芯片集成了负压驱动/短路保护等功能，是针对SiC MOSFET应用特点而设计的比邻驱动®(NextDrive®)系列芯片之中的隔离型产品。现已获得车规级可靠性认证（AEC-Q100）。
SiC MOSFET驱动电压尖峰分析与抑制（下）
高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能让系统效率显著提升，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而在驱动电压上产生更大的尖峰。抑制驱动电压尖峰，成为发挥SiC MOSFET优势的关键课题。本篇主要介绍驱动电压尖峰的抑制方法。
你好，请问有SIC或者GAN的电机驱动器吗 或者瞻芯电子他们公司的SIC器件，模块都可以
瞻芯电子世强有代理，他们的SIC器件选型可以参考/doc/526384029.html
【IC】瞻芯电子新开发紧凑、智能的比邻驱动™（Nextdrive®）SiC专用驱动，支持多领域高效应用（上）
基于碳化硅（SiC）MOSFET的应用特点，瞻芯电子创新开发了比邻驱动™（Nextdrive®）系列碳化硅 （SiC）专用栅极驱动芯片，以确保碳化硅MOSFET安全、可靠和高效运行，也能有效降低应用系统的总体物料成本。
【应用】国产IVCR1407SR栅极驱动器用于1kw逆变器，具有更低传播延时、高达4A的拉电流和灌电流能力
在1kw的逆变器设计中，需要采用全桥变换将直流电转换成交流电，而全桥电路则由4颗高压MOS来进行搭建，MOS的驱动往往采用专用的栅极驱动芯片来实现，本文将介绍瞻芯电子IVCR1407SR栅级驱动器在1kw逆变器上的应用。
集成负偏压的IVCR1401 35V 4A SiC和IGBT 8针驱动器
该资料介绍了IVCR1401是一款35V 4A SiC和IGBT 8引脚驱动器，具有集成负偏置功能。它适用于低边和高边电源启动，提供可编程的欠压锁定保护和固定欠压锁定保护，并具备短路检测功能。该驱动器专为高效和安全地驱动SiC MOSFET和IGBT而设计，具有良好的噪声免疫能力和短路过流保护。
瞻芯电子 - SIC和IGBT 8引脚驱动器,SINGLE-CHANNEL, HIGH-SPEED SMART DRIVE,单通道高速智能驱动器,SIC AND IGBT 8-PIN DRIVER,IVCR1401DP,IVCR1401DR,IVCR1401DPR,IVCR1401D,IVCR1401,光伏助推器,电动汽车逆变器,SIC MOSFETS,碳化硅IGBT,HEV逆变器,DC/DC CONVERTERS,DC/DC转换器,HEV INVERTERS,EV INVERTERS,CHARGING STATIONS,PV BOOSTERS,EV ON BOARD CHARGERS,光伏变流器,不间断电源,充电站,PV INVERTERS,UPS,电动汽车车载充电器,SIC IGBTS,AC/DC CONVERTERS,交直流变换器,SIC MOSFET
【经验】采用Si8285隔离驱动器实现SiC MOS管可靠驱动和保护
在SiC MOS管出现短路或直通故障时，通过其DS间的电流值会瞬间增大到额定电流的数倍以上，此时如果不能及时关断SiC MOS管的栅极驱动电压，SiC MOS管会由于热量迅速累积而损坏。采用Silicon Labs推出的Si8285集成的Vcesat退饱和保护功能，可以实时监测SiC MOS管的Vds电压，一旦Vds电压进入退饱和状态，会立即软关断SiC MOS管，实现保护功能。
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