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sic mosfet驱动与si igbt驱动异同？SiC MOSFET能否沿用IGBT插件驱动板方式驱动？
创建于2024-04-02

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用户_5489 (0)

不能沿用。因为采用驱动板的方式，驱动回路寄生电感比较大，从而需要更大的驱动电阻来阻尼，进而导致开关速度变慢，损耗增大。如果不用更大的驱动电阻来阻尼，那么Vgs波形会导致比较大的振荡，进而导致Vds振荡，从而增加开关损耗。另，寄生电感比较大本身就增加了驱动回路阻抗，驱动电路的抗米勒能力减弱，导致开关速度变慢，损耗也增大。

创建于2024-04-02

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SiC MOSFET驱动和Si IGBT驱动有什么异同？SiC MOSFET能否沿用IGBT插件驱动板方式驱动？

不能沿用。因为采用驱动板的方式，驱动回路寄生电感比较大，从而需要更大的驱动电阻来阻尼，进而导致开关速度变慢，损耗增大。如果不用更大的驱动电阻来阻尼，那么Vgs波形会导致比较大的振荡，进而导致Vds振荡，从而增加开关损耗。另，寄生电感比较大本身就增加了驱动回路阻抗，驱动电路的抗米勒能力减弱，导致开关速度变慢，损耗也增大。

2020-08-28 - 技术问答

SiC MOSFET相比IGBT有什么优势？

1）与硅相比，碳化硅拥有更为优越的电气特性。碳化硅【击穿电场强度】大，是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度。碳化硅的禁带接近硅的3倍，可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。碳化硅的【饱和电子漂移速率】大，是硅的2倍，这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度 2）相同规格的【碳化硅基MOSFET】与【硅基IGBT】相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的【碳化硅基MOSFET】较【硅基IGBT】的总能量损耗可降低70%。具体到器件产品来看，以碳化硅为衬底制成的功率器件相比硅基功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势

2023-01-18 - 技术问答

IGBT驱动光耦是否可用于驱动MOSFET？IGBT驱动光耦与MOSFET驱动光耦有什么区别？ACPL-W341可用于驱动1500V的MOSFET

IGBT和MOSFET的输入控制电路结构基本相同，所以IGBT驱动电路可以用于驱动MOSFET,我们推荐PI公司的隔离驱动电路SID11x2系列IGBT驱动芯片，最大驱动电流达8A,输出具有软关断能力，减小IGBT关断时的损耗，提高系统效率；电路的保护功能使系统安全可靠。具体请参考/doc/63546.html

2018-07-03 - 技术问答国产替代

碳化硅的效率比普通igbt模块高多少？

从效率的角度，SIC是可以设计的比IGBT效率高，在开高频的情况下，SIC可以做到低的损耗，另外也可以减小滤波的体积，具体效率高多少，这个需要设计后去实测对比。

2018-04-10 - 技术问答

请问罗姆有集成的碳化硅IGBT模块吗？

ROHM有一系列SiC模块，包括1200V和1700V耐压，电流80A~576A，半桥和六管模块都有。可参考以下链接：/news/96494393.html

2018-11-16 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

上海瞻芯电子的SiC MOSFET是否有正负压应力极限的数据？

瞻芯电子的SiC MOSFET栅极电压规范（+20V/-5V）是严格根据JEDEC来做的认证，保证产品在室温下工作寿命不小于10年。对于超出栅极电压规范的应用情况，主要有以下两个方面的考量。第一，栅极本身的寿命模型主要由SiO2的TDDB（Time Dependent Dielectric Breakdown 时间依赖的介质击穿）模型来确定，已经有大量的数据表明SiC上生长的SiO2介质层的质量跟Si上生长的SiO2是一样优良的，所以从TDDB的角度来看，20V的栅介质所能承受的更高电压以及在该电压下的寿命模型跟Si MOSFET和IGBT是一致的；瞻芯电子正在用瞻芯自己的SiC MOSFET建立SiO2栅介质工艺和器件的寿命模型。第二，SiC MOSFET跟Si MOS产品（MOSFET和IGBT）最大的差别和挑战就在于PBTI（Positive Bias Temperature Instability正偏压温度不稳定性）和NBTI（Negative Bias Temperature Instability负偏压温度不稳定性），加正偏压后器件Vth会增加，加负偏压后器件Vth会减小；在JEDEC认证条件下，在栅极电压规范内工作，器件的寿命是可以得到保证的；对于超出栅压规范的应用寿命模型，瞻芯电子正在搭建设备并且做详细规划和研究；总体说来，只要正栅压不超过25V，负栅压不低于-10V，Duty Cycle比较小的脉冲不会对器件造成性能的不可恢复性损伤，具体的定量关系和寿命模型会在第一轮研究结束时给出。

2024-05-28 - 技术问答代理服务技术支持采购服务