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推荐瑞之辰的SiC PIM大功率模块系列。封装使用AMD陶瓷基板、液冷散热器和高可靠树脂，内置16~20颗SiC功率芯片，电压1200~3300V，电流300~1000A，最大额定功率240kW。产品具有高耐压、高可靠性、低损耗以及可高频、高温操作等优越性能；提高了温度循环容限；利用银烧结材料，已确认在200℃下工作的高可靠性；对新结构特点的充分发挥，可实现模块的低电感设计。
相位器可以应用在哪些方面。
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推荐瑞之辰的SiC PIM 大功率模块系列，采用 WPM11C 的封装外形，开发了器件由铜螺母链接、由环氧树脂密封的新型功率模块结构；利用此结构，提高了温度循环容限；利用银烧结材料，已确认在200℃下工作的高可靠性；对新结构特点的充分发挥，可实现模块的低电感设计。
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瑞之辰的超低内阻SiC MOSFET系列可冲，该系列使用自主研发的框架结构，650V系列产品 最低Rdon=5毫欧，1200V系列产品最低 Rdon=7毫欧。具有强大的过流能力（持续电流200A）、耐压能力（3300V）。
【选型】为逆变电源的IGBT吸收电路选择缓冲吸收电容Snubber MKP系列
市场上AC380V输入的逆变电源多采用IGBT作为功率开关器件，尤其是大功率的逆变电源。由于工作电压高，IGBT在高频率开关过程中就会产生较高的尖峰电压，此时一般都会在直流母线或者IGBT两端增加一个缓冲吸收电路，因此正确的选择吸收电容对电路可靠性有着至关重要的作用。本文推荐采用WIMA的Snubber MKP系列缓冲吸收电容。
阿基米德半导体IGBT功率模块/IGBT分立器件选型表
阿基米德半导体推出高性能MOSFET/IGBT、Hybrid/ SiC SBD/MOSFET功率模块、分立器件产品，涵盖650V~1700V电压等级，产品主要应用于新能源汽车/光伏/储能/充电桩/数据中心/电能质量等领域。
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产品型号
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品类
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Package
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VCE(V)
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IC(A)
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AMG200L12L1H3RB
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IGBT功率模块
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ACL
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1200
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200
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选型表 - 阿基米德半导体 立即选型
晶导微电子碳化硅肖特基选型表
晶导微电子提供碳化硅肖特基二极管选型，涵盖650V和1200V的反向耐压（VRRM），以及2A至20A的正向电流（Io）。产品具有低正向压降（VF低至1.45V）、高浪涌电流能力（IFSM最高达180A）和低漏电流（IR低至20uA）。封装形式多样，包括TO-220ACW、TO-247-2L、TO-247-3L、TO-252-2L、TO-252W和TO-263-2L，满足不同应用场景需求。适用于高功率密度和高效率的电源转换、电动汽车、工业电源和可再生能源系统。用户可根据电压、电流和封装需求选择合适的型号。
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产品型号
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品类
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Io(A)
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VRRM(V)
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IFSM(A)
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VF(V)
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@IF(A)
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IR(uA)
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@VR(V)
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QC(nC)
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Tj(℃)
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Marking
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Package Outline
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链接
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状态
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|
SC10065DH
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碳化硅肖特基
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10
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650
|
88
|
1.65
|
10
|
20
|
650
|
20
|
-55℃-175℃
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SC10065DH
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TO-252W
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下载链接
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初版
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选型表 - 晶导微电子 立即选型
华轩阳电子MOS选型表
华轩阳电子MOS选型表包括P型场效应晶体管、N型场效应晶体管、P+P型场效应晶体管、N+N型场效应晶体管、N+P型场效应晶体管五种类型，主要有以下选型参数：VDSS耐压(V)18~650V;ID电流(A)0.1A~400A;RDS电阻(mΩ)@4.5V MAX)2.4~14000mΩ;应用等级均为民用级。
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产品型号
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品类
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类型
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VDSS耐压(V)
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ID电流(A)
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RDS电阻(mΩ)@4.5V MAX)
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RDON(mR)
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封装
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应用等级
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HXY2301AI
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P型场效应晶体管
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P沟道
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20V
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3A
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87mΩ
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25mR
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SOT-23
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民用级
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选型表 - 华轩阳电子 立即选型
中电国基南方SiC MOSFET选型表
中电国基南方提供SiC MOSFET的以下参数选型，VDSS(V):650V~1700V，RDS(on):11mΩ~1000mΩ，ID:5~150A，有TO-247-3、TO-247-4等多种封装形式。
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产品型号
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品类
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VDSS(V)
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RDS(on)(mΩ)
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GEN
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Drain Current(A) TC=25℃
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VGS(th)(V) (Typ.)
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Gate Charge Total(Qg)(nc)
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Total Power Dissipation(PTOT)(W)
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Junction Temperature(TJ)(MAX)(℃ )
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Package
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质量等级
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WM2V020065K
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SiC MOSFET
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650V
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20mΩ
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G2
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92A
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2.6V
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187nc
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312W
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175℃
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TO-247-3
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车规级
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选型表 - 中电国基南方 立即选型
晶导微电子碳化硅MOS选型表
晶导微电子提供碳化硅MOSFET选型，涵盖650V至1200V的漏源电压（VDSS）和108A至92A的连续漏极电流（ID）。产品具有低导通电阻（Rdson，低至20mΩ）、高开关速度（低输入电容Ciss，低至1100pF）和宽工作温度范围（-55℃至175℃）。封装形式包括TO-247-3L和TO-247-4L，适用于高功率密度和高效率的电源转换应用，如电动汽车、工业电源和可再生能源系统。用户可根据电压、电流和封装需求选择合适的型号。
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产品型号
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品类
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VDSS(V)
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VGSS(V)
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ID(A)
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VGSth_Min(V)
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VGSth_Max(V)
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Rdson_Typ(mΩ)
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Rdson_Max(mΩ)
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@VGS/IDS (V)/(A)
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Ciss(pF)
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Coss(pF)
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Crss(pF)
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polarity
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Tech
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Tj(℃)
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Marking
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Package Outline
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链接
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状态
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SC060N120W4T
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碳化硅MOS
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1200
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-15/+20
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44.5
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1.8
|
4
|
60
|
80
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20/20
|
2200
|
115
|
18.5
|
N
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SiC
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-55℃-175℃
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SC060N120W4T
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TO-247-4L
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下载链接
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初版
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选型表 - 晶导微电子 立即选型
屹晶微电子驱动芯片选型表
屹晶微电子提供如下参数的驱动芯片：死区，低端电源，输出电流，悬浮电源，高端/低端电源欠压保护
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产品型号
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品类
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悬浮电源（V）
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低端电源（V）
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输入逻辑
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输出电流
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低端电源欠压保护（V）
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高端电源欠压保护（V）
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闭锁保护
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使能
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死区（nS）
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封装
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EG1160
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驱动芯片
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600
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10-20
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HIN,LIN
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2.0/2.5
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8.5/7.9
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8.2/7.5
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有
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无
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160
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SOP16
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选型表 - 屹晶微电子 立即选型
瞻芯电子SiC MOSFET选型表
瞻芯电子提供以下参数选型：汽车级&工业级，VDS（V）：650V~1700V，RDS(ON) ：15mΩ~10000mΩ。
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产品型号
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品类
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Qualification
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VDS（V）
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RDS(ON) （mΩ）
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ID（TC=25°C）（A）
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VTH（ TJ =25°C）（V）
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VTH（ TJ =175°C）（V）
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Qg（nC）
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Operating Junction Temperature（°C）
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Package
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IV2Q06025T4Z
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SiC MOSFET
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汽车级
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650V
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25mΩ
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99A
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2.8V
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2.0V
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125.0nC
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-55°C to 175°C
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TO247-4
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选型表 - 瞻芯电子 立即选型
瑞之辰传感器：技术革新弯道超车，市场潜力无限
市场规模爆发，压力传感器站上黄金赛道。瑞之辰科技凭借全金属密封型封装专利技术，提升了压力传感器在高温、高湿度环境下的性能，其产品在电动汽车电池系统中的应用，成为国产传感器替代的良好示范。
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