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Vincotech IGBT模块10-EY126PA075M7-L197F78T推荐外部栅极驱动电阻为多少？
通常来讲，IGBT的外置驱动电阻的选型需要综合考虑开关时间、开关损耗和电压尖峰的影响。对于vincotech的IGBT模块10-EY126PA075M7-L197F78T，其规格为75A/1200V六管，驱动栅极内阻为4欧姆，建议选择内阻值的两倍，外置驱动电阻选择8～10欧姆最为合适。
有600A的大功率IGBT模块推荐吗？
推荐Vincotech新发布的600A/1200V半桥型IGBT模块，利用多个该型号模块可组成大功率高耐压的逆变电路
世强代理的有国产的IGBT模块吗，伺服驱动器上面需要找IGBT模块，想找一下合适的物料，帮忙多推荐几家做一下对比。
您好，国产IGBT模块，扬杰，参考资料：/chapter/7640.html 乐山希尔： /selection/825.html?searchValue=%E6%89%AC%E6%9D%B0IGBT%E6%A8%A1%E5%9D%97%E9%80%89%E5%9E%8B＆selectionOnId= 芯达茂：/selection/1543.html?searchValue=%E8%8A%AF%E8%BE%BE%E8%8C%82＆selectionOnId=
请问：碳化硅的有300A、400A、600A，1200V，及耐压以上的吗？其驱动电路与驱动IGBT的一样吗
推荐采用rohm的SiC模块，耐压1200V的模块电流规格范围80A-600A，耐压1700V的模块电流规格为250A。可参考链接：【选型】ROHM（罗姆）SIC碳化硅功率元器件选型指南。IGBT对驱动电压的要求为-10V和+15V，而SiC MOS对驱动电压的要求通常为-5V和+20V，在设计时需要注意。
碳化硅的效率比普通igbt模块高多少？
从效率的角度，SIC是可以设计的比IGBT效率高，在开高频的情况下，SIC可以做到低的损耗，另外也可以减小滤波的体积，具体效率高多少，这个需要设计后去实测对比。
IGBT模块应用时，死区时间怎么预留？
IGBT模块应用时，通过软件控制上下桥臂的门极开关切换时间控制死区时间，例如20KHz驱动频率的电源行业，INV采用半桥架构，上下管的交替死区设置时间一般是1~2μS。另外关于IGBT模块选型，可参考Vincotech的选型资料：/doc/65932.html
【经验】教你验证SID1182K隔离驱动芯片能否驱动600A/1200V IGBT模块
IGBT驱动电路设计的优劣、驱动参数设置是否合理，关系到IGBT能否长期稳定的工作。本文我们就以Vincotech的IGBT模块（A0-VS122PA600M7-L759F70）和PI隔离驱动芯片（SID1182K）为例，验证SID1182K能否驱动600A/1200V IGBT模块。
基本半导体携汽车级碳化硅功率模块、MOS及门极驱动芯片等产品出海亮相IAA MOBILITY 2023
日前，全球领先的出行行业交流平台德国国际智慧出行博览会（IAA MOBILITY 2023）在德国慕尼黑正式拉开帷幕。基本半导体携旗下全系汽车级碳化硅功率模块、碳化硅MOSFET、门极驱动芯片等产品出海亮相这一行业盛会。
求一款英飞凌FF600R12ME4的驱动芯片，汽车级应用的？
在驱动器方面，推荐PI品牌的SID1182KQ，可以参考文章：【经验】教你验证SID1182K隔离驱动芯片能否驱动600A/1200V IGBT模块。在IGBT方面，推荐Vincotech E3模块A0-VS122PA600M7-L759F70，规格为1200V/600A，可Pin To Pin兼容FF600R12ME4半桥 IGBT功率模块，同时相比FF600R12ME4可降低5~10%设计成本。
IGBT模块的损耗特性是什么？
IGBT元件的损耗总和分为：通态损耗与开关损耗。开关损耗分别为开通损耗(EON)和关断损耗(EOFF)之和。
有没有电机控制芯片推荐
您好，可以参考以下世强平台链接，包含多种电机驱动芯片。/Web/Search/keyword/%E7%94%B5%E6%9C%BA%E9%A9%B1%E5%8A%A8%E8%8A%AF%E7%89%87?ugc=k
ABB做igbt模块吗？
ABB有做IGBT模块，但是世强代理Vincotech的IGBT模块，集成各种封装拓扑，独有的封装技术，模块拥有低杂散电感特点且在各大市场均有广泛的应用。Vincotech的选型手册链接如下：/doc/65932.html。
有没有电机控制芯片推荐
您好，可以参考以下世强平台链接，包含多种电机驱动芯片。/Web/Search/keyword/%E7%94%B5%E6%9C%BA%E9%A9%B1%E5%8A%A8%E8%8A%AF%E7%89%87?ugc=k
英飞凌，17N80c3或ipa95r450p7代替11n80c3后无输岀,驱动芯片icl5102hv
你好，世强代理产品供货周期短库存丰富，如Renesas、新电元、中央半导体的MOSFET功率器件和京瓷的MOS模块，可直接在平台搜索相关产品和申请样品，如下为相关选型手册： 【选型】RENESAS ( 瑞萨电子）分立器件--晶体管／二极管／双向晶闸管／晶闸管选型指南/doc/1021679.html 【选型】Shindengen（新电元）功率器件选型指南/doc/2099704.html 【选型】Central Semiconductor（中央半导体）场效应管(MOSFETs)选型指南/doc/2076695.html 【选型】Kyocera（京瓷）功率器件选型指南/doc/1998422.html
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