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pin to pin替换碳化硅二极管C4D40120D，ROHM是否有合适型号推荐？
推荐ROHM的碳化硅二极管SCS240KE2，1200V、40A，TO-247-3封装，可以满足要求。
罗姆碳化硅最大功率二极管是多大的
罗姆碳化硅肖特基二极管最大可以做到1200V、40A，具体型号如下SCS240KE2
1200V的碳化硅二极管和600V的碳化硅二极管相同容量40A,哪个发热量大?
1200V的SIC肖特基二极管发热会大些。因为更高耐压的SIC肖特二极管的正向导通压降VF相对更大，而反向恢复电流均为可忽略不计，在25℃条件下，1200V的SIC肖特基二极管VF一般为1.8V（如Wolfspeed的C4D40120D 1200V/40A），而600V的SIC肖特基二极管VF一般为1.35V（如ROHM的SCS240AE2 650V/40A），电流相同的条件下，前者发热更大（P=I2*R）。
pin to pin替换碳化硅二极管C3D20060D，是否有合适型号推荐？
推荐ROHM碳化硅二极管SCS220AE2，650V、20A ，TO-247-3封装，可以满足要求。
ROHM的碳化硅二极管有哪些推荐？
ROHM的SIC二极管需要根据参数需求来推荐，可以在世强元件电商平台上自行搜索ROHM SIC二极管，即可获得有关的资料，库存，价格，供货等信息，也可以参考以下资料链接：/news/35474217.html。
ROHM SiC功率器件：SiC肖特基二极管、SiC-MOSFET、SiC功率模块，覆盖低耐压到1000V高耐压产品
ROHM可提供多种类型已经在售的SiC功率器件，在业内率先推出了采用SiC（碳化硅）半导体技术的产品，实现从低耐压器件到耐压超过1000V的高耐压器件的广泛系列。包括SiC肖特基二极管、SiC-MOSFET、SiC功率模块。世强提供小量快购、批量采购以及专业技术支持。
ROHM（罗姆） SiC（碳化硅）肖特基二极管选型指南（中文）
SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）具有很小的总电荷（Qc），低开关损耗且高速开关工作。因此，它被广泛用于电源的PFC电路中。此外，与硅基快恢复二极管的trr（反向恢复时间）会随温度的升高而增加不同，碳化硅（SiC）器件可保持恒定的特性，从而改善了电路性能。制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸，非常适合在功率因数校正电路和逆变器中使用。
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SiC肖特基势垒二极管
这份资料主要介绍了多种类型的元器件，包括碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET、全碳化硅功率模块和智能功率模块。资料详细描述了这些元器件的尺寸、封装类型和基本订购单位。此外，还提供了相关产品的图片和包装信息。
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【产品】650V/10A的车载级碳化硅肖特基势垒二极管SCS210AJHR，主要应用于车载充电器等领域
ROHM的SCS210AJHR是符合AEC-Q101标准的车载级碳化硅肖特基势垒二极管，可有效降低开关损耗，具有高速开关的特点，其采用TO-263AB封装。反向电压为650V，总电容电荷为15nC，连续正向电流为10A，主要应用于车载充电器、DC / DC转换器、无线充电器、EV充电器等应用领域。
【应用】罗姆1200V SiC肖特基势垒二极管用于充电桩充电模块可降低关断和通态损耗
在PFC VIENNA的高频二极管和LLC副边整流二极管中应用ROHM的SiC肖特基势垒二极管SCS240KE2C，具有低导通电阻，体积小，效率高，发热量小等优势，相比普通Si材料器件具有更低的VF和IR，更好的浪涌能力，适合充电桩充电模块等要求较高的应用。
SCS215AJ碳化硅肖特基势垒二极管
本资料为ROHM公司生产的SCS215AJ碳化硅肖特基二极管的数据手册。该器件具有650V的反向电压和15A的正向电流，适用于PFC升压拓扑、次级侧整流、数据中心和光伏电源调节器等应用。
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碳化硅肖特基势垒二极管碳化硅肖特基势垒二极管选型指南
本资料介绍了硅碳化物（SiC）肖特基势垒二极管（SBDs）的优势和应用。与传统硅二极管相比，SiC SBD具有更高的耐压、更低的正向电压和快速恢复时间，适用于功率电子领域，特别是在需要高效率和低损耗的应用中。
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【产品】1200V/34nC的碳化硅肖特基势垒二极管SCS220KE2，采用TO-247封装
ROHM推出的碳化硅肖特基势垒二极管SCS220KE2，可降低开关损耗，可高速开关，采用TO-247封装。反向电压VR为1200V，每个引脚总电容电荷Qc为34nC，连续正向电流IF为10A/20A（每个引脚/两个引脚），总耗散功率为130/280W（每个引脚/两个引脚），结温Tj为175°C，主要应用于PFC电路中升压拓扑、二次侧整流、数据中心、光伏功率调节器。
SCS208AJ碳化硅肖特基势垒二极管
本资料为ROHM公司生产的SCS208AJ碳化硅肖特基二极管的数据手册。该二极管具有650V的反向电压、8A的正向电流和13nC的充电电荷量，适用于PFC升压拓扑、次级侧整流和数据中心等应用。
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【经验】如何通过增加Si旁路二极管改善碳化硅（SiC）二极管的Ifsm能力
在Ifsm能力上，ROHM的碳化硅（SiC）二极管SCS306AHG基本是SCS206AG的两倍左右，SCS308AHG是SCS208AG的两倍左右。本文推荐采用并联旁路二极管的方式进行改善，从而提升已经采用 SCS206AG和SCS208AG设计的电路回路的Ifsm能力。需要注意，并联的Si旁路二极管的耐受电流需满足电路中浪涌电流最大值的1.5倍以上。
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