【元件】 瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统
为了满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件的需要，瞻芯电子开发了2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。近期首批2款产品通过了严格的可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。
关于产品
瞻芯电子依托浙江瞻芯6英寸SiC晶圆厂，基于Gen-2 SiC MOSFET技术和SiC SBD技术，分别开发了2000V SiC MOSFET和SBD工艺平台。平台首款产品延续了成熟产品的良好性能和可靠性表现，并通过了包括HV-HTRB和HV-H3TRB在内的完整可靠性考核。
IV2Q20045T4：2000V 45mΩ 碳化硅（SiC）MOSFET，TO247-4
驱动电压：15V~18V，具有开尔文源极引脚
IV1D20020T2：2000V 20A 碳化硅（SiC）Schottky Diode，TO247-2
工作结温高达175℃，且Vf具有正温度系数
关于应用
随着电力电子技术的发展，在光伏、储能、电网等领域的功率变换系统呈现2个趋势：一是追求更高工作频率，以压缩电感和电容尺寸，提升效率和功率密度；二是追求更高母线电压，以降低电流导通损耗，提升系统效率。
2000V SiC器件兼具耐高压、高频开关的特点，满足以上2方面的系统应用需求。以升压变换电路为例，为了降低线路导通电阻，而将母线电压提升到1500V，若采用1200V SiC器件则需增加联级电路和元器件数量；若采用2000V SiC器件的方案，具有简化电路设计和控制，减少元器件数量，降低成本，提升功率密度等优势，如下图所示：
IV2Q20045T4 典型应用：
光伏逆变器
UPS电源
电机驱动
开关电源
IV1D20020T2 典型应用：
光伏逆变器
逆变器续流二极管
开关电源
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