本文由Victor转载自派恩杰半导体公众号，原文标题为:2024年11月15日【喜讯】 | 派恩杰首推2000V SiC MOSFET成功通过HV-H3TRB加严可靠性考核！，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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派恩杰的SiC MOSFET产品顺利通过AC BTI可靠性测试，性能稳定可靠
作为一种更接近实际应用的可靠性测试方法，AC BTI能够更加准确的评估SiC MOSFET芯片的可靠性，在同等试验条件下，平面栅的SiC MOSFET的AC BTI可靠性优于沟槽栅的可靠性。
瞻芯电子荣获SiC行业三大奖项，全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场
2024年12月12日，由行家说主办的“2024碳化硅＆氮化镓产业高峰论坛”于深圳召开。瞻芯电子凭借极具竞争力的碳化硅（SiC）功率器件和驱动解决方案，全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场，取得出色的业绩表现，在颁奖礼上荣获三项大奖：“中国SiC IDM十强企业”、“年度影响力产品奖”、“第三代半导体应用推动突破奖”。
鲁晶携多款功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛，为新能源、光伏、充电桩等领域应用提供服务
鲁晶半导体携旗下Si SBD/FRD/SCR、Si MOS/IGBT、SiC Diodes、SiC MOSFET等功率器件产品出席第十四届亚洲电源技术发展论坛，产品广泛应用于各类智能家电、电动工具、新能源、充电桩、光伏、电源、工控等领域。
【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统
为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。
瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案
作为国内领先的功率器件和数模混合信号链IC产品供应商，瑶芯推出最新新能源车、光储、充电桩及各类电源的功率器件解决方案，覆盖低压SGT MOS、高压SJ MOS、IGBT和SiC MOSFET系列。
蓉矽1200V 40/75mΩ碳化硅MOSFET用于直流充电桩，减少50%器件用量，助力800V高压快充充电桩行业发展
基于蓉矽半导体第二代1200V 40/75mΩ SiC MOSFET的两电平方案结构简单、控制方便，可简化系统拓扑，减少50%的器件用量，助力800V高压快充充电桩行业的发展。蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V，最大可持续电流达75A。
降本＆高效！采用1200V 40mΩ SiC MOSFET的开关电源有效提高系统效率和增强可靠性
开关电源上使用1200V 40mΩ SiC MOSFET能够提高系统的效率、可靠性和性能，在工业级电源、数据中心电源和新能源汽车充电桩等应用中表现尤为突出。相比传统的硅基MOSFET，SiC MOSFET具有更低的导通电阻和更高的工作温度，这使其在高功率密度和高效率的应用中具有显著优势。
中瑞宏芯SiC MOSFET为40kw充电桩电源模块提供更高的耐压等级和热导率，增强了充电桩的稳定性
碳化硅模块提供了更高的耐压等级和热导率，增强了充电桩的稳定性，使直流充电桩能以更高频率运行，提升了近30%的输出功率，并降低了约50%的损耗。中瑞宏芯成功研发并量产了多款适用于充电桩电源模块领域的产品。型号包括但不限于：HX1D40120H1、HX2M040120K、HX2M030120K等，旨在为客户提供更加高效、稳定的充电解决方案。
中瑞宏芯基于第二代SiC MOSFET技术推出1200V 20/30mΩ低开关损耗产品，专为高频、高效应用开发
中瑞宏芯（Macrocore）针对大功率充电桩、电机驱动等开关频率高、功率大的应用需求，基于第二代SiC MOSFET技术，开发了1200V 20mΩ，1200V 30mΩ低开关损耗产品。
萃锦半导体针对充电桩行业的碳化硅解决方案，有效减少充电模块磁性器件体积
萃锦开发的 SiC MOSFET 通过优化元胞结构，增强耐雪崩能力。导通损耗小，开关效率优，适合高频工作模态，有效减少充电模块磁性器件体积。萃锦SiC Diode反向恢复特性优，正向导通压降值低，损耗小。萃锦器件在应用上充分满足充电桩高效率、高功率密度以及高可靠性的要求。
SMC 1700V SiC MOSFET用于中功率新能源，两级拓扑更简单，效率、功率密度、可靠性提升
高电压SiC MOSFET在低功率辅助电源的应用带来了诸多收益。2015年，SMC布局碳化硅产品的设计、研发与制造，并推出了一系列节能可靠、高性价比的大功率碳化硅产品器件，可广泛运用于包括新能源汽车、光伏、储能、电源等各个领域。目前，SMC在650V-1700V SiC MOSFET的研发与生产上均有所规划，并将于2024年下半年实现大批量量产。
1700V SiC MOSFET在低功率辅助电源中的应用，具有更轻便、更低成本的特点
650V-1200V碳化硅功率器件的市场应用越发普遍。随着额定电压为1700V-3300V的功率器件的推出，碳化硅半导体技术的众多优势已惠及电源、储能、电车、工业应用等各个细分市场。SMC在650V-1700V SiC MOSFET的研发与生产上均有所规划，并将于2024年下半年实现大批量量产。
一文看懂瑞之辰SiC MOSFET相对于IGBT器件的优势
在功率电子领域，相较于传统的绝缘栅双极晶体管（IGBT），碳化硅（SiC）MOSFET以其卓越的性能逐渐受到业内关注，成为行业的焦点。碳化硅功率器件近年来越来越广泛应用于工业领域，目前瑞之辰旗下的碳化硅产品线包括SiC PIM大功率模块、SiC IPM智能功率模块和SiC MOSFET—TO247-4PHC器件（直插和贴装两种）。
【应用】采用开环LLC＋电流源PFC方案实现全碳化硅高功率密度充电桩模块设计
国产碳化硅领先品牌瞻芯电子采用SiC MOSFET、SiC SBD和SiC MOSFET驱动芯片开发了全碳化硅的充电桩模块包括PFC和DCDC的原型设计。该参考设计的功率密度比业界主流的充电桩模块提升50%，揭示了碳化硅功率器件在高功率密度、高性能充电桩模块领域的巨大优势和潜力。
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