瞻芯电子自主完成首批6英寸SiC MOSFET晶圆流片生产,后续将投入全面量产


2022年9月,瞻芯电子自建的车规级SiC晶圆厂自主完成了首批6英寸SiC MOSFET晶圆流片,产品参数达到设计要求,良率指标正常,标志着6英寸SiC MOSFET工艺平台正式打通。
瞻芯电子SiC晶圆厂继2022年7月22日正式投片后,用一个半月时间就打通了SiC MOSFET工艺平台,再次展现了瞻芯团队强大的技术整合能力和攻关能力。
此外,早在2022年8月5日第一片SiC 二极管(SBD)晶圆就在瞻芯电子SiC晶圆厂流片成功,良率指标优异,就表明6英寸SiC SBD工艺平台已打通。
后续,瞻芯将进一步优化工艺流程,加强质量管控,提高产品良率,为全面量产做好准备。
上海瞻芯电子科技有限公司是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司,2017年成立于上海临港,致力于开发碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模块产品,并围绕碳化硅(SiC)功率半导体应用,为客户提供一站式(Turn-key)芯片解决方案。
瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司,建成了一座按车规级标准设计的SiC晶圆厂,将持续创新,放眼世界,致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅(SiC)功率半导体和芯片解决方案提供商。
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产品型号
|
品类
|
Qualification
|
VDS(V)
|
RDS(ON) (mΩ)
|
ID(TC=25°C)(A)
|
VTH( TJ =25°C)(V)
|
VTH( TJ =175°C)(V)
|
Qg(nC)
|
Operating Junction Temperature(°C)
|
Package
|
IV2Q06025T4Z
|
SiC MOSFET
|
汽车级
|
650V
|
25mΩ
|
99A
|
2.8V
|
2.0V
|
125.0nC
|
-55°C to 175°C
|
TO247-4
|
选型表 - 瞻芯电子 立即选型
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