SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效，宽耐压，开关损耗降低50%
随着新能源市场的爆发，电动汽车、光伏、储能等下游应用驱动下，碳化硅功率器件迎来了新一轮增长期。安博在线联合瑶芯微，爱仕特，派恩杰，瞻芯电子，中电国基南方，SMC，带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品，最高1700V宽耐压，开关损耗降低50%。
品牌及产品介绍
致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）
瑶芯微推出的SIC MOS AKCK2M040WMH，耐压1200V，导通内阻低至40mΩ，持续电流59A，T0247-3封装，结温-55~+150℃，可以有效降低热损耗，提高工作效率，同时也可以减小变压器等器件的体积，节省空间。可应用于光伏逆变BOOST升压电路。
【数据手册】AKCK2M040WMH 1200V 40mohm Silicon Carbide Power MOSFET DATASHEET
爱仕特推出的N沟道SIC MOSFET-ASCXXN1200MT4系列产品，漏源电压1200V，结温和存储温度范围为-55℃至+150℃，低电容高速开关；高阻断电压，低RDS(on)；使用标准栅极驱动，驱动简单；符合ROHS标准，并经过100%雪崩测试；可用于EV充电、DC-AC逆变器、高压DC/DC转换器、开关模式电源、功率因数校正模块、电机驱动领域。
【数据手册】ASC60N1200MT4 1200V N-Channel MOSFET
【数据手册】ASC30N1200MT4 1200V N-Channel MOSFET
国内领先的第三代半导体功率器件设计公司——派恩杰（PN Junction）
派恩杰推出的1700V N沟道增强型SiC MOSFET P3M173K0K3，最大漏极电流为2.7A，符合RoHS标准，无卤素，封装采用TO-247-3；高阻断电压，低导通电阻；工作结温范围为-55℃至+200℃，可提高系统效率和功率密度，减少散热器需求，节省系统成本。应用于太阳能逆变器，电动汽车电池充电器，高压DC/DC转换器等领域。
【数据手册】P3M173K0K3 SiC MOS N-Channel Enhancement Mode
【选型】派恩杰（PN Junction）碳化硅MOSFET选型指南
中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）
瞻芯电子推出的车规级SiC MOSFET“IV1Q12XXX”系列产品，漏源电压1200V，耐高压且低导通电阻；可高速开关，且寄生电容小；耐受工作结温高达175℃，鲁棒性好。可用于车载充电器，车载压缩机逆变器、车载DC/DC、光伏逆变器、开关电源等领域。
【数据手册】IV1Q12080T4Z – 1200V 80mΩ 车规级SiC MOSFET
【数据手册】IV1Q12160D7Z– 1200V 160mΩ 车规级 SiC MOSFET
【选型】瞻芯电子（InventChip）碳化硅（SiC）功率器件/栅极驱动芯片/模拟控制芯片选型指南
中国最早从事SiC器件研究的科研单位之一：中电国基南方（CETC）
中电国基南方（CETC）推出的N沟道碳化硅功率MOSFET WM2A040120L，高阻断电压，低通态电阻，低寄生电容，可用于高速开关；器件的漏-源电压（VDS）：1200V，漏源通态电阻（RDS(on)）：40mΩ，连续漏极电流（ID）：68A@Tc=25℃。广泛应用于再生能源、电动车蓄电池充电桩、高压DC/DC转换器、开关模式电源等场景。
【数据手册】WM2A040120L N-Channel SiC Power MOSFET
【选型】中电国基南方SiC电力电子器件（SiC MOSFET/SiC SBD）选型指南（中文）
SMC推出的SIC MOS S2M00XX120K系列产品，导通内阻涵盖16 mΩ、25 mΩ、40mΩ、80 mΩ， 目前有T0247-3、T0247-4两种封装，结温-55~+175℃，高阻断电压，低导通电阻，可以有效降低热损耗，提高工作效率；同时也可以减小设计体积，节省空间。可应用于光伏储能逆变器，高压DC/DC转换电路，汽车电驱以及汽车OBC。
【数据手册】S2M0025120K 1200V SIC POWER MOSFET
【数据手册】S2M0040120K 1200V SIC POWER MOSFET
【数据手册】S2M0080120K 1200V SIC POWER MOSFET
【选型】SiC MOSFETs & SiC Schottky Diodes & Bare Die SiC MOSFETs & Bare Die SiC Schottky Diodes
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鄗立恒 Lv8. 研究员 2024-04-01学习了 -
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鄗立恒 Lv8. 研究员 2024-03-20学许可 -
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用户55155032 Lv2 2024-03-19学习了
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【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行
现在光伏逆变器电压等级提升到1500V，如果选用单端反激拓扑，单管MOS耐压值需要超过3000V，因此建议采用双管反激方案，推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000，1700V高耐压，同时采用常用的TO247封装，可直接替换Si MOS使用。
派恩杰碳化硅场效应管(SiC MOSFET)选型表
派恩杰推出碳化硅场效应管(SiC MOSFET)，覆盖常规封装TO247-3,TO247-4,TOLL,TO263-7等，RDS：13-3000毫欧，温度高达175℃
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产品型号
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品类
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Blocking Voltage(V)
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Package
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RDS(ON) @25℃(mΩ)
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Current Rating(A)
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Qgd(nC)
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Output Capacitance(pF)
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Max Junction Temperature(℃)
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P3M06025K3
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碳化硅场效应管
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650V
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TO247-3
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25mΩ
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97A
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34.7nC
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297pF
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175℃
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选型表 - 派恩杰 立即选型
萃锦半导体SiC MOSFET具有极低的开关损耗，应用在电动汽车中提高功率密度和效率
碳化硅（SiC）在电动汽车行业中具有巨大的应用潜力。通过提高器件的导热性、击穿电压和导通电阻，以及其对环保的潜在作用，SiC为电动汽车行业的发展提供了有力支持。萃锦半导体SiC MOSFET产品品质可靠性，100%经过晶圆级老化，性能和参数对标国际产品在芯片制造价值链上，可以提供"一站式 FSM+BGBM”中后道完整解决方案，对标国际领先技术水平，定制背面金属及减薄工艺，保证产品高性能和高性价比。
【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC20N3300MT4，最高结温为150℃，符合ROHS标准
ASC20N3300MT4是爱仕特推出的一款N沟道SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。
【产品】国产自研SiC MOSFET ASC30N650MT4，适用于电动汽车充电、DC/DC转换器
本文主要介绍深圳爱仕特科技有限公司自主设计研发SiC MOS芯片。ASC60N650MT4是爱仕特推出的一款SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。
瞻芯电子荣获SiC行业三大奖项，全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场
2024年12月12日，由行家说主办的“2024碳化硅＆氮化镓产业高峰论坛”于深圳召开。瞻芯电子凭借极具竞争力的碳化硅（SiC）功率器件和驱动解决方案，全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场，取得出色的业绩表现，在颁奖礼上荣获三项大奖：“中国SiC IDM十强企业”、“年度影响力产品奖”、“第三代半导体应用推动突破奖”。
中瑞宏芯SiC MOSFET在1500V光伏逆变器中的应用与优势
为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求，中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装，具有开尔文源极，驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5。
【元件】新动向 | 爱仕特内绝缘型SiC MOSFET，内置陶瓷片优化绝缘和导热性能，为高效能应用提供新选项
爱仕特始终秉承创新理念，近期推出了1200V和1700V两款内绝缘型TO-247-4封装的SiC MOSFET。这些创新产品在保持标准封装尺寸，通过内置陶瓷片优化了绝缘和导热性能，背面散热器做了悬浮电位设计，减少了外部绝缘材料依赖，降低了材料老化导致的长期运行故障风险，增强了产品可靠性和耐用性。
P3M12020K4 N沟道增强型SiC MOSFET
该资料详细介绍了PNJ半导体公司生产的P3M12020K4型号SiC MOSFET的特性、电气参数、应用领域和订购信息。该MOSFET适用于高电压、高频率应用，具有低导通电阻和高压阻断特性。
派恩杰 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SIC MOSFET,N沟道增强型SIC MOSFET,P3M12020K4,电动汽车电池充电器,高压DC/DC变换器,SOLAR INVERTERS,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,太阳能逆变器,EV BATTERY CHARGERS,模式电源开关,SWITCH MODE POWER SUPPLIES
爱仕特SiC Chips选型表
提供爱仕特SiC Chips选型，覆盖TO-247-3，TO247-4L，TO-247-4，DFN8*8，DFN 10*12等常规封装，覆盖常规功率段，电压650V-3300V，电流5A-100A
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产品型号
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品类
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Package
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Voltage（V）
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RON(mohm)
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Temperature Range(℃)
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Status
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ASC8N650MT3
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SiC Chips
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TO-247-3
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650V
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320mohm
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-40~175℃
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Development
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选型表 - 爱仕特 立即选型
爱仕特1200V 12mΩ SiC MOSFET已量产并批量出货，兼具超低导通和超快开关特性
爱仕特自主研发的15V驱动的1200V 12mΩ SiC MOSFET和1700V 25mΩ SiC MOSFET芯片已量产并开始批量出货给国内客户，填补了国内该系列产品研发及应用的空白，引领国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。
P3M06035K4 N沟道增强型SiC MOS
本资料详细介绍了PNJ公司生产的P3M06035K4型号SiC MOSFET，这是一种N沟道增强型SiC MOSFET。该产品具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作、超小Qgd等特点，适用于太阳能逆变器、电动汽车电池充电器、高压DC/DC转换器和开关模式电源等应用。
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派恩杰在国内率先推出1200V/20mΩ SiC MOSFET，提升电动汽车性价比
据业内人士统计，使用SiC MOSFET作为主驱逆变器的电动汽车，其整车混合使用效率较传统IGBT高出5-7%！针对未来车用市场的需求，派恩杰在国内率先推出1200V 20mΩ SiC MOSFET，根据封装散热条件不同，额定电流74~105A。
【产品】具有开尔文引脚的车规级SiC MOSFET-P3M06025K4，栅氧层可靠性卓越，提升整体效率
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日前，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于“极氪”电动汽车3种车型的主机逆变器上，有助于延长车辆续航距离以及提高性能。
电子商城
现货市场
服务
可定制环氧胶的粘度范围（混合后）：1000-50000 mPa·s；固化方式：可加热、仅室温、可UV；其他参数如外观颜色、硬度等也可按需定制。
最小起订量： 1支 提交需求>
可根据需求定制抛光速率，镜面不锈钢光洁度有11~14级可选，具有去除率高、抛光后粗糙度低于10nm、光泽度高、易于清洗等特点，可在粗抛、中抛后的精抛工序、车削后使用。
最小起订量： 25kg 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
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授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
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