蓝箭电子 双极型晶体管
相关结果约2557564条蓝箭电子 二极管/MOSFET/三极管/充电管理IC/LDO/三端稳压器/锂电保护IC选型表
佛山市蓝箭电子股份有限公司是广东省高新技术企业,国内半导体器件专业研发制造商。拥有大量先进的生产线,产品系列有各种封装的双极型晶体管、场效应晶体管(MOSFET)、各种开关、稳压、肖特基(SBD)、快恢复(FRD)等二极管、晶闸管(可控硅)、集成电路(IC)等,产品广泛应用于家用电器、电源、IT数码、通信、新能源、汽车电子、仪器仪表、显示屏、灯饰照明、背光源等领域。
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发布时间 : 2025-03-03
蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)分立器件和集成电路产品选型指南
产品发展介绍 DFN封装系列MOSFET SOT&SOP&TO系列封装MOSFET 高压MOSFET及SJ MOSFET/LDO及三端稳压系列产品 锂电池保护/充电管理IC系列产品 二极管和三极管系列简介 小信号新品系列 应用案例
蓝箭电子 - 电子烟,三极管,中功率三极管,二极管,同步整流开关,场效应管,大功率三极管,小信号三极管,开关三极管,开关二极管,快恢复二极管,整流二极管,整流桥,桥堆,稳压二极管,肖特基,肖特基二极管,静电放电,TVS二极管,VBUS开关,三端稳压IC,原边PWM开关,锂电池保护IC,锂电池充电管理IC,高压MOSFET,AC-DC IC,BIPOLAR TRANSISTOR,BRIDGE RECTIFIER,CHARGE MANAGEMENT IC,DC-DC IC,DIGITALTRANSISTOR,DUAL MOSFET,EEPROM,ESD,ESD PROTECTION DEVICES,FRD,GAN MOSFET,IGBT,LDO,LED,LITHIUM BATTERY PROTECTION IC,LITHIUM BATTERY PROTECTION INTEGRATION IC,MOSFET,MOTOR DRIVE IC,OPERAIONAL AMPLIFIERS,POWER MANAGEMENT IC,POWER TRANSISTOR,PWM IC,REGULATOR,SBD,SCR,SGT MOSFET,SIC SBD,SJ MOSFET,SJ-MOSFET,SMD DIODE,SYNCHRONOUS RECTIFICATION IC,SYNCHRONOUS RECTIFICATION MOSFET,TOUCH IC,TVS,BRCS016N03ZC,BRCL4056BZZ,79D05,MMDT4401,TL432M,BRCS150P02ZJ,BRCS150N12SZC,BRCL3230EME,BRCL4058EZZ,BRD65R280C,BRF65R280C,BRCS4606SC,BRCS120N02ZJ,BRCL32,不间断电源,交流电源,仪器仪表,传感器,便携式储能,充电器,功放,加湿器,变速器,变频器,家用电器,广告电源,开关电源,手机充电器,控制板,控制电路,显示器,机顶盒,栅极驱动,汽车,液晶电视,玩具,电动工具,电动车,电子镇流器,电源适配器,电磁炉,电视机,电视板卡,电风扇,直流电源,稳压电源,继电器,网通设备,计算机系统,逆变器,通讯设备,音响,HID氙气灯,LED灯源电路,LED照明,PD快充,PWM脉宽调制器,TV板,声频/视频输入,TWS,UPS
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IATF 0230402 ISO/TS 16949:2009 证书
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证书IATF 0288551证书SGS CN1 3/30282 IATF 16949:2016
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BRG60N60D 绝缘栅双极型晶体管
BRG60N60D是一款绝缘栅双极型晶体管,由国内半导体器件专业研发制造商蓝箭电子生产。该产品具有以下特点:PD为310W,IC为120A,VCES为600V,VCE(sat)为2.9V,VGE(th)为- VCE(V) 0.5 IC(mA) 4 MIN. 6 MAX.,管脚排列为GCE LEAD ARRANGING,封装为TO-3P Package。该产品适用于多种电子电路,具有高性能和可靠性,是电子设备中常用的半导体器件之一。
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BRGB6N65DP 绝缘栅双极型晶体管
BRGB6N65DP是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),适用于高功率应用。该产品具有以下特点:PD(功率)为69W,IC(电流)为12A,VCES(电压)为650V,VCE(sat)为1.98V,VGE(th)为5V。它采用TO-252封装,管脚排列为GCE LEAD ARRANGING。该产品广泛应用于工业、汽车和电力电子领域,具有出色的性能和可靠性。
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BRGH25N120D 绝缘栅双极型晶体管
BRGH25N120D是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管,适用于高功率应用。该产品具有350W的PD(功率耗散)、50A的IC(集电极连续电流)和1200V的VCES(集电极-发射极间额定电压)。其VCE(sat)为2.45V(在25IC(A)和15VGE(V)条件下),VGE(th)为15VCE(V) 0.6IC(mA) 4.5 MIN. 6.5 MAX.。该晶体管采用TO-247封装,管脚排列为GCE LEAD ARRANGING。适用于各种工业和消费电子应用。
蓝箭电子 - 绝缘栅双极型晶体管,BRGH25N120D,高功率应用
BRG10N120D 绝缘栅双极型晶体管
该产品是一款绝缘栅双极型晶体管,适用于各种电子电路中。其主要特性包括:PD(功率耗散)为208W,IC(电流)为20A,VCES(击穿电压)为1200V,VCE(sat)(饱和电压)为2.4V,VGE(th)(阈值电压)为10V。管脚排列为15,封装类型为TO-3P。该型号晶体管适用于高电压、大电流的应用场景,具有优良的开关性能和热稳定性。
蓝箭电子 - 分立器件,BRG10N120D,高电压、大电流应用场景
BRG60N65D 绝缘栅双极型晶体管
BRG60N65D是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),适用于高功率应用。该产品具有310W的PD(功率耗散)、120A的IC(连续电流)和650V的VCES(集电极-发射极间电压)。其VCE(sat)为2.2V(在60IC(A)和15VGE(V)条件下),VGE(th)为15VCE(V)(在0.8IC(mA)和5.3MIN. 6.3MAX.条件下)。该晶体管采用GCE LEAD ARRANGING管脚排列和TO-3P封装。适用于各种工业、汽车和消费电子应用。
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BRG20N120D 高压绝缘栅双极型晶体管
BRG20N120D 是一款高压绝缘栅双极型晶体管,适用于高电压应用场景。该产品具有240W的PD(功率耗散),40A的IC(集电极电流),1200V的VCES(集电极-发射极间额定电压),2.5V的VCE(sat)(饱和电压),15V的VGE(th)(阈值电压)。其管脚排列为GCE LEAD ARRANGING,封装为TO-3P Package。该晶体管适用于各种工业和消费电子应用,如电机驱动、电源管理、开关电源等。
蓝箭电子 - 分立器件,BRG20N120D,开关电源,电机驱动,电源管理
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提供CE测试服务,通过晶体回路匹配分析,给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址:深圳/上海 提交需求>

测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。
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