BTD21520
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基本半导体（BASIC）碳化硅功率器件选型指南
深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。
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BTD21520x 双通道隔离型门极驱动器
BTD21520x 是一款双通道隔离型门极驱动器，峰值拉电流达4A，峰值灌电流达6A。它通过5000Vrms的加强绝缘将原副方进行隔离，支持高达1850VDC的工作电压。该驱动器可配置为两个低边驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间可调的半桥驱动器，并具有DIS禁用管脚功能。DIS脚输入高电平时将同时关断两个输出，悬空或接地时允许器件正常运行。这款驱动器适用于供电系统、电机控制系统、DC/DC隔离供电、照明控制系统、等离子显示器、太阳能和工业变换器、车载充电机、电池管理系统、充电站、牵引逆变器、混合动力汽车及纯电动汽车等领域。其主要特点包括隔离电压高达5000Vrms（SOW-14）@UL1577；3000Vrms（SOP-16）@UL1577，集成禁用功能和死区时间设置功能，典型传输延时为45ns，工作环境温度范围为-40至125℃。
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发布时间 : 2025-03-03
深圳世辉电子聚焦SiC MOSFET模块在电力电子领域的升级替代
公司定位：专注于碳化硅（SiC）MOSFET模块和IGBT模块的研发与分销，提供高性能功率器件。技术优势包括高效能、高可靠性产品，广泛应用于光伏逆变器、储能系统等新能源领域。 开发支持：提供产品文档（如芯片规格书），但未提及培训或客户案例。 应用场景：主要涉及工业领域，包括光伏逆变器、储能变流器PCS、OBC车载充电器、热管理电动压缩机驱动器等。 质量认证：未明确提及具体质量认证。 合作价值：帮助客户实现从IGBT到SiC MOSFET的技术升级，提升系统效率和性能。
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世辉电子(香港)有限公司 - 22年行业经验 SiC MOSFET代理 光伏储能领域
世辉电子(香港)有限公司是基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET的香港代理商，主要分销BASiC品牌全系列碳化硅MOSFET产品，包括模块、单管IGBT、混合SiC-IGBT及隔离驱动IC。公司专注于光伏逆变器、光储一体机、储能变流器、OBC车载充电器、高频电源、数据中心UPS等新能源应用领域，提供高性能碳化硅器件解决方案。
苏州普兆新能源设备有限公司 - BTD21520,IGBT模块,三电平IGBT模块,隔离门极驱动芯片,全碳化硅模块,碳化硅MOSFET,功率MOSFET,混合SIC-IGBT模块,SIC功率器件,B2M1000170Z,B2M040120H,B2M0242000Z,BTD5350,B2M035120YP,BTD3011,B2M065120Z,B2M1000170R,B2M020120H,B2M065120R,B2M065120H,B2M040120Z,BTL27523,B2,变频器,机房UPS,光储一体机,智能电网HVDC,工商业储能变流器,PET电力电子变压器,氢燃料空压机驱动,高频逆变焊机,充电桩电源,储能变流器PCS,AI服务器电源,OBC车载充电器,数据中心电源,射频电源,热管理电动压缩机驱动器,光伏逆变器,大功率工业电源,直流快充
BASiC基本™第二代SiC碳化硅MOSFET功率半导体
BASiC基本™第二代SiC碳化硅MOSFET是一款高性能的功率半导体器件，主要应用于新能源汽车、直流快充、光伏储能、工业电源和通信电源等领域。该产品具有出类拔萃的可靠性和可圈可点的器件性能。其1200V系列击穿电压BV值实测在1700V左右，高于市面主流竞品，确保了大规模制造时的器件可靠性。同时，该产品的反向传输电容Crss较小，带来出色的开关性能，特别适用于LLC应用。此外，BASiC基本™第二代SiC碳化硅MOSFET比导通电阻降低约40%，Qg降低了约60%，开关损耗降低了约30%，工作结温达到175°C，提高了高温工作能力。封装形式包括TO-247-3、TO-247-4、TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227等。这些特点使得该产品在高频、高压、高温环境下表现出色，能够显著提升电力电子系统的效率和功率密度，降低系统综合成本。
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【产品】基本半导体推出采用容耦隔离技术的单、双通道门极隔离驱动芯片，抗干扰能力达100V/ns
基本半导体针对多种应用场景研发推出单、双通道门极隔离驱动芯片，具有抗干扰能力强、传输延时低、可靠性高等优势，可适应不同的功率器件和终端应用，可适配耐压在1700V以内的功率器件的门极驱动，广泛应用于隔离式DC-DC/AC-DC电源、光伏逆变器等。
青铜剑隔离驱动芯片产品列表
提供单/双通道隔离驱动芯片，适配1700V以内功率器件，涵盖工业级应用，支持多种封装类型。
青铜剑科技 - BTD21520X,隔离驱动芯片,BTD3011R,BTD25350,BTD5350X,工业节能,新能源发电,智能电网,轨道交通
BTD21520x 双通道隔离型门极驱动器
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Bronze隔离驱动IC产品列表
Bronze Technology隔离驱动IC，包括单通道、双通道、光电耦合器替代及高端VCE检测隔离驱动IC，适用于汽车级设计及宽功率范围应用。
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BTD21520x双通道隔离式栅极驱动器
BTD21520x系列双通道隔离栅极驱动器，具备高达5000Vrms的隔离电压，适用于工业和汽车领域，包括电力分配、电机驱动、隔离开关电源、照明系统、等离子显示器、光伏和工业逆变器、车载充电器、电池管理系统、充电站、牵引逆变器、混合动力汽车和纯电动汽车等。
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Bronze隔离驱动IC宽电压范围产品列表
Bronze Technology提供的隔离驱动IC，采用无芯变压器和电容器隔离技术，耐压高达8000V，驱动电流达10A，覆盖单双通道及多种保护功能，适用于40~1700V功率器件。
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