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全碳化硅功率mos是否和igbt一样驱动需要负压？有没成熟的驱动芯片推荐？
创建于2019-10-15

4个回答

用户_7124 (0)

sic mosfet驱动是需要负压的，而GaN FET是可以不用负压。
成熟的SIC MOSFET驱动芯片，推荐SILICON LABS 的SI827x，可以参考：如何为SIC MOSFET选择一款理想的隔离驱动芯片？

创建于2019-10-15
用户99050004 Lv5 . 技术专家 (2)

sic和GαN的mos都要加负压来驱动，这样更可靠。因为他们的开启都很低。我现在用的是SI827x来驱动。也可以用infineon的1EDⅠ20N12AF。

创建于2019-10-17
Roonie Lv8 . 研究员 (0)

sic mos是需要负压驱动，主要是为了在MOS关断是迅速抽走栅极电荷和防止误导通

创建于2019-10-16
郭攻城狮 Lv7 . 资深专家 (0)

可以自己搭建，用si驱动芯片加mos推挽就可以了，开关速度快，一般不做短路保护。

创建于2019-10-16

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为什么SIC IGBT驱动模块的负压和IGBT的负压大小不一样？它们的负压幅值选取的依据是什么？

在SiC MOS管和IGBT的栅极驱动上施加负压的目的是为了可靠关断，避免米勒效应导致的误导通问题。SiC MOS管和IGBT的栅极驱动负压大小不同，是由于其材料和工艺存在差别，SIC MOS管的负压通常为-5V，极限值不超过-10V。IGBT的负压通常设置为-10V，极限值可达-25V。

2020-03-09 - 技术问答

大功率的igbt模块，比如300A或者400A的模块，驱动芯片和驱动电阻的选型求推荐。

可以看看世强元件电商平台上的Power Integrations（PI）SID11x2K SCALE-iDriver门极驱动芯片,该驱动器驱动能力可以达到8A，具体资料参看以下链接：/doc/63546.html

2018-10-30 - 技术问答国产替代

碳化硅的效率比普通igbt模块高多少？

从效率的角度，SIC是可以设计的比IGBT效率高，在开高频的情况下，SIC可以做到低的损耗，另外也可以减小滤波的体积，具体效率高多少，这个需要设计后去实测对比。

2018-04-10 - 技术问答

中压690V逆变器，使用1700V的IGBT模块，有相关的驱动芯片推荐吗？

中压690V的逆变器，其母线电压通常达到1100V左右，使用1700V耐压的IGBT模块，推荐采用PI的高性能隔离驱动芯片SID1183K，支持驱动耐压为1700V以内的IGBT，峰值输出驱动电流可达8A，可直接驱动600A以下的开关器件，支持在-40°C至+125°C的温度下工作，最大开关频率为75kHz，采用9.5mm电气间隙和爬电距离的eSOP封装。可参考链接：Power Integrations（PI）SID1183K 1700 V SCALE-iDriver门极驱动芯片数据手册

2019-11-08 - 技术问答国产替代

请问罗姆有集成的碳化硅IGBT模块吗？

ROHM有一系列SiC模块，包括1200V和1700V耐压，电流80A~576A，半桥和六管模块都有。可参考以下链接：/news/96494393.html

2018-11-16 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

SiC MOSFET驱动电压尖峰分析与抑制（上）

高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能显著提升系统效率，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而让驱动电压产生更大的尖峰。设计可靠的驱动电路来抑制的驱动电压尖峰，成为发挥SiC MOSFET优势特性的关键课题。为此，我们首先测试复现驱动尖峰波形并分析原因，然后采取相应措施来抑制尖峰。本篇主讲第一部分：驱动电压尖峰复现与分析。

2024-01-02 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

【经验】浅谈SI8233与SI835双路隔离驱动芯片设计区别

目前Silicon Labs推出的具有双路隔离驱动芯片SI8233和SI8235，目前也是主流用在车载DC-DC，及OBC及各种电源拓扑中比较常见的两种驱动芯片，本文针对这两种驱动芯片在设计上的不同点做个简答的描述，设计者可以根据自身的设计需求去进行选择。

2019-02-03 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

立即报名2025 SiC/GaN新技术研讨会，SiC MOS、GaN FET、国产化数字隔离/驱动等创新产品技术

5月15日，2025SiC/GaN新技术研讨会聚焦SiC MOS、SiC二极管、国产化数字隔离/驱动、GaN FET等创新产品技术，突破能效边界，助你重新定义产业效能天花板，点击了解报名。

2025-03-12 - 活动

瞻芯电子开发的车规级5.7kVrms隔离驱动芯片IVCO141x量产，集成负压驱动/短路保护

瞻芯电子开发的3款5.7kVrms隔离型、单通道栅极驱动芯片IVCO141x正式量产，并导入多家客户试用。IVCO141x芯片集成了负压驱动/短路保护等功能，是针对SiC MOSFET应用特点而设计的比邻驱动®(NextDrive®)系列芯片之中的隔离型产品。现已获得车规级可靠性认证（AEC-Q100）。

2024-08-13 - 产品代理服务技术支持采购服务

【经验】隔离驱动芯片SI8233做MOS管驱动时的注意事项

目前Silicon Labs 的隔离驱动芯片SI8233大量的用来做MOS管驱动，由于具有两路独立的驱动，并且支持原副边5V的隔离电压，每路的峰值驱动电流达4A，所以在电源类产品的拓扑半桥或者全桥电路，PFC都会考虑用SI8233做驱动设计。

2019-05-06 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

SiC MOSFET驱动与Si IGBT驱动异同？SiC MOSFET能否沿用IGBT插件驱动板方式驱动？

不能沿用。因为采用驱动板的方式，驱动回路寄生电感比较大，从而需要更大的驱动电阻来阻尼，进而导致开关速度变慢，损耗增大。如果不用更大的驱动电阻来阻尼，那么Vgs波形会导致比较大的振荡，进而导致Vds振荡，从而增加开关损耗。另，寄生电感比较大本身就增加了驱动回路阻抗，驱动电路的抗米勒能力减弱，导致开关速度变慢，损耗也增大。

2024-05-28 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

SiC MOSFET驱动电压尖峰分析与抑制（下）

高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能让系统效率显著提升，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而在驱动电压上产生更大的尖峰。抑制驱动电压尖峰，成为发挥SiC MOSFET优势的关键课题。本篇主要介绍驱动电压尖峰的抑制方法。

2024-01-02 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

【经验】基于栅极驱动器BM6104FV-C与IXDD609的SiC MOSFET驱动电路设计

SiC MOSFET对驱动要求高，主要体现在驱动电压和驱动速度。SiC MOSFET标称驱动电压范围一般为-6~22V，其开启电压一般很低，并随温度上升而降低，但只有达到18-20V时，才能完全开通。硅器件的驱动电压最高一般为15V，所以驱动不能直接用于驱动SiC MOSFET。笔者针对应用要求，在实际设计中选用ROHM BM6104FV-C栅极驱动器并在后级添加力特的IXDD609进行功率放大。

2019-11-05 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

请问能不能推荐一些驱动板用于做sic mosfet的脉冲测试（封装是TO-247-3），最好你们官网在售的。我之前看到一款瑞能的，不知道能不能用？

目前暂无适合TO-247封装的驱动板，SIC驱动推荐瞻芯的IVCO1A01DWR：IVCO1A01/2 8.5A/10A 隔离单通道栅极驱动器 (sekorm.com)，瞻芯也有TO-247的SIC MOS，可以参考：瞻芯电子（InventChip）碳化硅（SiC）功率器件/栅极驱动芯片/模拟控制芯片选型指南 (sekorm.com)。

2023-10-16 - 技术问答代理服务技术支持采购服务