【IC】 数明半导体SiLM5350隔离驱动器，SiC驱动优选方案稳定高效助力工业与汽车应用

第三代半导体功率器件如碳化硅（SiC）具备诸多显著的优点。一是高耐压：SiC材料相比于Si（硅）材料具有10多倍的击穿场强。在相同的耐压值下，SiC功率模块导通电阻（尺寸）仅为Si的1/10，功率损耗大幅减少。二是高频率：SiC材料不存在电流拖尾现象，能够提高器件的开关速度，其开关速度是硅开关速度的3-10倍，适用于更高频率和更快的开关速度。三是高温度：SiC材料具有禁带宽度大（约Si的3倍）、热导率高（约Si的3.3倍），熔点高（2830℃，约Si-1410℃的两倍）的特点，因此SiC器件在减少电流泄露的同时可大幅提高工作温度。基于这些显著的特性，SiC器件在新能源汽车、光伏发电、储能等领域得到越来越多的应用。

为了让SiC器件在这些大功率、高电压、高开关速度的应用中发挥出全部的特性，其驱动器的选择也至关重要。数明半导体的SiLM5350作为一款单通道30V、10A带米勒钳位的隔离驱动器，具有强大的驱动能力，能够高效、稳定地驱动SiC（碳化硅）等新型半导体器件，确保功率器件在各种复杂环境下高效的运行。

另外SiLM5350还具备米勒钳位功能，这对于抑制高速开关过程中可能产生的米勒尖峰至关重要。米勒尖峰是功率器件在开关过程中由于电容耦合而产生的瞬态电压，如果处理不当，可能导致误导通而损坏器件。SiLM5350通过米勒钳位功能可有效控制这一现象，提高系统的稳定性和可靠性。

此外，SiLM5350还提供多种UVLO（欠压锁定）保护选项，以满足不同功率器件（如高电压驱动的SiC，低电压驱动的GaN）的需求。这种灵活的配置不仅提高了应用的安全性，也使得SiLM5350能够适用于更广泛的场景。在封装方面，SiLM5350提供了SOP8和SOP8W两种选择，8脚位的设计使得其结构紧凑、应用简单。

SiLM5350隔离驱动器凭借其出色的性能，广泛应用于车载充电机（OBC）、直流-直流转换器（DC-DC）、光伏逆变器、充电桩、工业电源、通信电源、服务器电源以及伺服变频等领域。

产品优势

10A的驱动能力，提升系统效率

SiLM5350隔离驱动器拥有出色的10A/10A灌电流和拉电流能力，它能轻松应对快速开关的需求，完美匹配更大功率的IGBT、SiC和MOSFET等器件对驱动电流的需求。功率器件快速地开通和关断能够有效减少功耗，提升系统运行效率，为用户带来更为出色的使用体验。

集成米勒钳位功能，增强系统可靠性

为了应对功率器件中因寄生参数而引起的门极尖峰电压，SiLM5350特别集成了米勒钳位功能。这一功能可有效避免功率器件在运行中可能出现的误导通现象，从而大大增强系统的可靠性。同时SiLM5350还支持负电源驱动输出，进一步抑制门极尖峰对系统的影响。

200kV/μs的CMTI性能，应对强干扰环境

SiLM5350具有高于200kV/μs的CMTI性能。这一卓越的抗干扰能力使其能够在复杂多变的工业和汽车应用中保持可靠的运行，满足新一代SiC应用对于高共模瞬态抗扰度的需求。

紧凑的结构，应对小型化趋势

为了应对系统小型化的趋势，SiLM5350提供了两种封装（SOP8和SOP8W）， 六种不同管脚配置，方便系统布局和走线。

数明半导体的SiLM5350隔离驱动器以其强大的驱动能力、高可靠性、卓越的抗干扰能力以及小巧的封装设计，成为了工业与汽车应用中SiC、IGBT、GaN等功率器件的理想驱动选择。无论是提高系统效率、降低功耗还是增强可靠性，SiLM5350都能够为用户带来显著的价值。