【应用】VincotechIGBT半桥模块A0-VS122PA600M7-L759F70用于变频器,饱和压降1.51V


变频器是工业控制的常用设备,可以将工频交流电转换成电压、频率均可变化的交流电,用于控制交流电机。图1为变频器的功能实现框图,在变频器的逆变电路部分,可采用三个半桥组成三相全桥拓扑。本文主要介绍VINCOTECH的IGBT半桥模块A0-VS122PA600M7-L759F70应用在160kW变频器的优势。
图 1 变频器的功能实现框图
Vincotech的IGBT半桥模块A0-VS122PA600M7-L759F70的规格为1200V/600A,封装及拓扑示意图如图2,应用在该项目中的优势如下:
1、饱和压降VCE(sat)@Tj=25℃为1.51V(TYP),工作时导通损耗低,可降低整机功耗;
2、短路耐受时间tsc为9.5μs,在高频工作时可有效应对短路电流,提高系统工作时的稳定性;
3、开通延迟时间td(on)@Tj=25℃为445ns,关断延迟时间td(off)@Tj=25℃为363ns,高速开关性能更好,能够输出更高频率的交流电;
4、晶圆采用三菱的IGBT M7晶圆,可为反向并联的二极管提供良好的反向恢复特性,为整体电路提供一个软开关的效果,减少开关损耗;
5、封装采用Vinco E3,该封装热循环能力更好,能够降低热阻,提高模块寿命。
图 2 封装及拓扑示意图
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由等天晴提供,版权归安博在线平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:安博在线平台”。
相关推荐
Vincotech IGBT模块K709F70,匹配45KW变频器逆变设计的兼容式半桥模块
在45KW通用变频器逆变部分的主体架构应用时,考虑到1200V电压、200A左右的电流、良好的散热布局以及简易封装设计几个因数,一般匹配半桥模块。Vincotech的半桥模块80-M2122PA200M7-K709F70,规格1200V/200A的半桥模块,匹配45KW变频器的应用设计。
【应用】1200V/600A的IGBT半桥模块L759F70助力实现120KVA的SVG低损耗设计
SVG是静止无功发生器,主要用于无功功率补偿,提高功率因数,优化回路的电能质量。Vincotech的IGBT半桥模块A0-VS122PA600M7-L759F70,1200V/600A,电流能力高,采用的是三菱M7晶圆,已经在市场上成功助力120KVA的SVG的低损耗设计。
Vincotech(威科)提供多种功率模块用于电机驱动
Vincotech有超过25年的低功率和中功率VFD模块经验,从CIB(转换器,逆变器,制动器)模块到半桥模块和整流器模块再到逆变器模块,Vincotech可以满足许多设计人员的成本目标,高效率和性能要求。其开发的功率模块产品能够广泛应用于工业驱动器、嵌入式驱动器、电源、光伏逆变器、不间断电源(UPS)、焊机等领域。推荐型号flowCON 2,flow90PACK 1,VINcoMNPC X4。
【技术】如何准确计算IGBT的驱动参数?
IGBT可靠的开通和关断是变频器稳定运行的核心。为了实现IGBT的通断,需要对IGBT的门极进行充电以达到门极开通电压Vge_on,以及对门极进行放电至门极关断电压Vge_off。因此,正确计算IGBT的驱动参数是保证其可靠通断的首要任务。
【经验】如何正确测试IGBT门极驱动波形?
本文以vincotech E3半桥IGBT模块(A0-VS122PA600M7-L759F70)和PI隔离驱动(SID1182K)为例,介绍在实际的IGBT驱动电路中如何正确测试门极驱动波形。
SF450R17D6半桥IGBT模块
本资料详细介绍了SF450R17D6半桥IGBT模块的电气特性、应用领域和关键参数。该模块适用于变频器、UPS、伺服和逆变器等设备,具有1700V的沟槽栅/场终止工艺,低开关损耗和正温度系数等特点。
SEMI-FUTURE - 半桥IGBT模块,HALF BRIDGE IGBT MODULE,SF450R17D6,逆变器,变频器,不间断电源,UPS,伺服
【经验】以A0-VS122PA600M7-L759F70为例分析IGBT模块测试振荡的原因及应对措施
IGBT模块在特定的工作点开关时,可能会在栅极电压、集-射极电压或集电极电流中产生高频振荡。会造成多种危害。从发生振荡的来源可分为三种模式的振荡,本文以Vincotech模块A0-VS122PA600M7-L759F70(1200V/600A)Half-Bridge拓扑为例,做一些分析我们常见的振荡分析。
SF300R17E6 62mm半桥IGBT模块
本资料详细介绍了SF300R17E6型半桥IGBT模块的电气特性、最大额定值、特征值、典型应用、二极管特性、模块参数、输出特性、传输特性、开关损耗、电容特性以及接线图和封装尺寸。该模块适用于变频器、UPS、伺服和逆变器等应用。
SEMI-FUTURE - 半桥IGBT模块,HALF BRIDGE IGBT MODULE,SF300R17E6,逆变器,变频器,不间断电源,UPS,伺服
VINCOTECH-IGBT功率模块选型表
VINCOTECH提供以下技术参数的IGBT功率模块产品选型,VOLTAGEIN:600-1800V,CURRENTIN:4-1800A
产品型号
|
品类
|
SUB-TOPOLOGY
|
PRODUCT LINE
|
VOLTAGEIN(V)
|
CURRENTIN(A)
|
MAIN CHIP TECHNOLOGY
|
HOUSING FAMILY
|
HEIGHTIN(mm)
|
ISOLATION
|
V23990-K429-A40-PM
|
IGBT功率模块
|
CIB-KE-NTC
|
MiniSKiiP® PIM 3
|
1200
|
75
|
IGBT4
|
MiniSKiiP® 3
|
16
|
Al2O3
|
选型表 - VINCOTECH 立即选型
车规级SiC/IGBT厂商阿基米德半导体授权安博在线代理,助力碳中和
阿基米德半导体1200V 75A IGBT芯片综合损耗超过国际友商IFX3代产品20%、6代产品15%;1200V 60A FRD芯片的反向恢复特性优于国内友商20%。
SF200R17E6 62mm半桥IGBT模块
本资料详细介绍了SF200R17E6型半桥IGBT模块的电气特性、应用领域和最大额定值。该模块采用1700V沟槽栅/场终止工艺,具有低开关损耗和正温度系数等特点,适用于变频器、UPS、伺服和逆变器等应用。
SEMI-FUTURE - 半桥IGBT模块,HALF BRIDGE IGBT MODULE,SF200R17E6,逆变器,变频器,不间断电源,UPS,伺服
【经验】教你掌握IGBT双脉冲测试的方法和意义
在使用一款IGBT时,我们通常会参考datasheet中给定的参数,但实际应用中外部参数是变化的,要实际观测上述参数,最直观的方法就是双脉冲测试法。本文采用Vincotech E3半桥IGBT模块(A0-VS122PA600M7-L759F70)和PI隔离驱动芯片(SID1182K)设计一款双脉冲测试设备。教你掌握IGBT双脉冲测试的方法和意义
森未科技IGBT模块SF450R12E6B,采用先进的高密度沟槽技术,保证了较低的导通压降和开关损耗
SF450R12E6B可应用于逆变器、工业变频器、风力发电、大功率电源等工业领域,针对工业应用的特点优化了器件损耗,提高了系统效率。优化了器件EMI特性,降低了系统噪声SF450R12E6B经过严格的可靠性测试,适用于各种严酷的工业应用环境。
SF150R17E6 62mm半桥IGBT模块
该资料详细介绍了SF150R17E6型半桥IGBT模块的电气特性、最大额定值、特征值、典型应用以及模块的物理参数。资料涵盖了模块的开关损耗、温度特性、电容特性等关键参数,并提供了典型输出特性曲线和封装尺寸图。
SEMI-FUTURE - 半桥IGBT模块,HALF BRIDGE IGBT MODULE,SF150R17E6,逆变器,变频器,不间断电源,UPS,伺服
电子商城
现货市场
服务

可定制无线位移传感器量程范围10~600mm,采用了无线传输方式,可远程自动实时检(监)测位移量值,准确度级别(级):0.2、0.5;内置模块:无线传输模块、供电模块;传输距离L(m):可视距离1000 (Zigbee、 LORA)。
最小起订量: 1pcs 提交需求>

提供蓝牙BLE芯片协议、蓝牙模块、蓝牙成品测试认证服务;测试内容分Host主机层,Controller控制器层,Profile应用层测试。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论