【产品】国产车规级车规级SiC MOSFET IV1Q12160D7Z,寄生电容小,适用于光伏逆变器


瞻芯电子推出的车规级SiC MOSFET IV1Q12160D7Z,它具有源极驱动管脚的低阻抗封装,同时具有低导通电阻、寄生电容小等特点,可广泛应用于光伏逆变器、车载充电器等等。
特点
⚫具有源极驱动管脚的低阻抗封装
⚫高压、低导通电阻
⚫高速、寄生电容小
⚫高工作结温
⚫快速恢复体二极管
应用
⚫光伏逆变器
⚫车载充电器
⚫高压DC/DC变换器
⚫开关电源
最大额定值(TC=25°C,特殊说明除外)
热阻特性
电学特性(TC=25°C,特殊说明除外)
体二极管特性(TC=25°C,特殊说明除外)
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本文由FY转载自瞻芯电子,原文标题为:IV1Q12160D7Z– 1200V 160mΩ 车规级 SiC MOSFET,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
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瞻芯电子SiC MOSFET选型表
瞻芯电子提供以下参数选型:汽车级&工业级,VDS(V):650V~1700V,RDS(ON) :15mΩ~10000mΩ。
产品型号
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品类
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Qualification
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VDS(V)
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RDS(ON) (mΩ)
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ID(TC=25°C)(A)
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VTH( TJ =25°C)(V)
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VTH( TJ =175°C)(V)
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Qg(nC)
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Operating Junction Temperature(°C)
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Package
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IV2Q06025T4Z
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SiC MOSFET
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汽车级
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650V
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25mΩ
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99A
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2.8V
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2.0V
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125.0nC
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-55°C to 175°C
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TO247-4
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选型表 - 瞻芯电子 立即选型
SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效,宽耐压,开关损耗降低50%
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产品手册SiC功率半导体和IC解决方案
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